時間：2025/5/23 10:11:48
閱讀：9
BSZ040N06LS5ATMA1 是一款 N 溝道邏輯電平 MOSFET，采用 SuperSO8 封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于各種高效能電源管理應(yīng)用。其額定電壓為 60V，最大持續(xù)漏極電流可達(dá) 4A（在 25°C 時）。這種 MOSFET 特別適合于需要高效率和低功耗的場合。
該器件由 ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)，廣泛用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動以及電池供電設(shè)備中。
型號：BSZ040N06LS5ATMA1
類型：N 溝道 MOSFET
封裝：SuperSO8
最大漏源電壓 Vds：60V
最大柵源電壓 Vgs：±20V
最大連續(xù)漏極電流 Id：4A
導(dǎo)通電阻 Rds(on)（典型值，Vgs=4.5V）：4mΩ
導(dǎo)通電阻 Rds(on)（最大值，Vgs=4.5V）：5mΩ
總柵極電荷 Qg：7nC
輸入電容 Ciss：1390pF
輸出電容 Coss：220pF
反向傳輸電容 Crss：68pF
結(jié)溫范圍 Tj：-55°C 至 +175°C
工作溫度范圍 Ta：-55°C 至 +150°C
BSZ040N06LS5ATMA1 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和高效率性能。它的典型導(dǎo)通電阻僅為 4mΩ（在 Vgs=4.5V 時），這使得它非常適合于低功耗設(shè)計(jì)。此外，其快速開關(guān)能力得益于較低的柵極電荷 (Qg)，從而減少了開關(guān)損耗并提高了整體系統(tǒng)效率。
該器件還具備出色的熱性能，能夠承受高達(dá) 175°C 的結(jié)溫，這使得它能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。同時，其超小型 SuperSO8 封裝節(jié)省了 PCB 空間，為緊湊型設(shè)計(jì)提供了便利。
另外，由于它是邏輯電平 MOSFET，在低至 4.5V 的柵極驅(qū)動電壓下即可完全開啟，因此非常適合與低壓微控制器或數(shù)字電路配合使用。
這款 MOSFET 主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制及通信領(lǐng)域。具體應(yīng)用場景包括但不限于：
1. 開關(guān)電源（Switching Power Supplies）中的同步整流。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)元件。
3. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
4. 電池供電設(shè)備中的電池管理模塊。
5. 小型電機(jī)驅(qū)動和電磁閥控制。
6. LED 驅(qū)動電路中的開關(guān)組件。
7. 工業(yè)自動化系統(tǒng)中的信號隔離和功率傳輸部分。
BSZ040N06LS4, BSC040N06NS5, STP45NF06L, IRF7404
