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BSS84 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/23 14:41:20 查看 閱讀�640

BSS84是一款N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由射�、柵極和漏極三�(gè)引腳組成,其尺寸為SOT-23封裝。BSS84廣泛用于低電壓、低功�、高速開�(guān)�(yīng)�,例如電池供電設(shè)備、無線電通訊�(shè)�、音頻放大器和LED�(qū)�(dòng)器等�
  BSS84的主要特�(diǎn)是其低電�、低門極電容和快速開�(guān)速度。其最大漏極電流為130mA,最大漏極電壓為50V,最大功耗為100mW。此�,BSS84還具有良好的線性度和溫度穩(wěn)定�,使其在各種�(yīng)用場(chǎng)合中都有很好的性能表現(xiàn)�
  BSS84在使用時(shí)需要注意的是,柵極電壓不能超過最大額定電�,否則會(huì)�(dǎo)致器件損壞。此�,BSS84的漏極電流也需要根�(jù)具體�(yīng)用場(chǎng)景�(jìn)行選�,以免超過其額定��

參數(shù)和指�(biāo)

1、額定�
  BSS84N MOSFET的額定值包括最大漏極電壓(VDSmax�、最大漏極電流(IDmax�、最大功率耗散(Pmax)等�
  2、電氣特�
  BSS84N MOSFET的電氣特性包括漏極電阻(RDSon�、門極電壓(VGS�、漏極電流(ID)等�
  3、封裝形�
  BSS84N MOSFET的封裝形式包括SOT-23�,不同的封裝形式有不同的尺寸和引腳布局�

�(jié)�(gòu)組成

BSS84N MOSFET由源�、漏極和門極組�。源極和漏極之間有一�(gè)溝道,溝道的�(dǎo)電性可以通過控制門極電壓來改變,從而控制漏極電流的大小。門極和源極之間有一層絕緣層,通常采用氧化硅�

原理

BSS84N MOSFET的工作原理是基于PN�(jié)的導(dǎo)電性與金屬-絕緣�-半導(dǎo)體結(jié)�(gòu)的導(dǎo)電性不同而設(shè)�(jì)��
  �(dāng)漏極電壓�0�(shí),溝道中沒有自由電子,漏極電流為0。當(dāng)給門極施加正電壓�(shí),溝道中的自由電子會(huì)被吸引到門極附�,溝道中形成一�(gè)�(dǎo)電通道,從而導(dǎo)致漏極電流增�。當(dāng)門極電壓增加到一定程度時(shí),溝道中的自由電子濃度達(dá)到最大�,漏極電流也�(dá)到最大值�

�(shè)�(jì)流程

1、確定應(yīng)用場(chǎng)景和要求�
  2、選擇合適的BSS84N MOSFET,根�(jù)額定值和電氣特性�(jìn)行篩��
  3、確定電路拓?fù)浜蛥�?shù)�
  4、�(jìn)行電路仿真和�(yōu)��
  5、選擇合適的附加元件,如電容、電感等�
  6、�(jìn)行PCB�(shè)�(jì)和布局�
  7、�(jìn)行電路測(cè)試和�(diào)試�

注意事項(xiàng)

1、注意BSS84N MOSFET的最大額定值,避免過壓和過��
  2、注意BSS84N MOSFET的靜�(tài)電壓容限,避免靜電擊穿�
  3、注意BSS84N MOSFET的溫度容�,避免過��
  4、注意BSS84N MOSFET的封裝形式和引腳布局,避免錯(cuò)誤焊接�
  總之,BSS84N MOSFET是一種重要的半導(dǎo)體器�,具有廣泛的�(yīng)用前景。在�(shè)�(jì)和應(yīng)用中,需要充分了解其參數(shù)、指�(biāo)、結(jié)�(gòu)組成、原�、設(shè)�(jì)流程、應(yīng)用及注意事項(xiàng)等方面的知識(shí),才能有效發(fā)揮其�(yōu)�(shì),提高電路的性能和可靠��

bss84推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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bss84參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C130mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 歐姆 @ 100mA�5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs1.3nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds73pF @ 25V
  • 功率 - 最�360mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSS84TR