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BSS84-7-F 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 19:41:59 查看 閱讀:17

BSS84-7-F是一種N溝道增強型小信號MOSFET晶體管,廣泛用于各種電子電路中。它具有低導通電阻、快速開關速度和高電流處理能力等特性,非常適合用作開關或放大器件。該型號在設計上注重高頻性能和小型化封裝,適用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領域。
  該器件采用SOT-23封裝形式,體積小巧,便于表面貼裝工藝使用。

參數(shù)

最大漏源電壓Vds:-50V
  最大柵源電壓Vgs:±20V
  連續(xù)漏極電流Id:-0.15A
  脈沖漏極電流Idp:-0.4A
  導通電阻Rds(on):10Ω(典型值,Vgs=-4.5V)
  總功耗Ptot:240mW
  結溫范圍Tj:-55℃至+150℃

特性

BSS84-7-F具備出色的電氣特性和可靠性:
  1. 極低的輸入電容Ciss,使其適合高頻應用。
  2. 高開關速度支持快速響應時間。
  3. 提供了非常低的反向傳輸電容Crss,有助于降低開關損耗。
  4. 具備較強的抗靜電能力(ESD),提高了其在敏感環(huán)境中的穩(wěn)定性。
  5. 良好的熱穩(wěn)定性和機械強度,保證長期工作的可靠性和一致性。

應用

BSS84-7-F適用于多種場景,包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流。
  2. 便攜式電子設備中的負載開關。
  3. 數(shù)據(jù)通信接口保護電路。
  4. 音頻信號處理及濾波器設計。
  5. 各類邏輯電平兼容的數(shù)字電路驅動。
  6. 繼電器替代方案以減少機械部件使用。

替代型號

BSS84, BSS138, FDN340P

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bss84-7-f參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)50V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C130mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 歐姆 @ 100mA,5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds45pF @ 25V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封裝SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSS84-FDITR