BSS84/DG 是一種常見的 N 溝道小信號場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于開關電路、保護電路以及信號放大等領域。它具有低漏電流、高開關速度和小型封裝的特點,非常適合低功率應用�
BSS84/DG 采用 SOT-23 封裝,這使得它� PCB 布局中占用較小空�,并且具備良好的散熱性能。該器件的典型應用包括電源管�、ESD 保護和負載開關等�
最大漏源電壓:50V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�0.15A
脈沖漏極電流�0.6A
輸入電容�17pF
導通電阻:350Ω
功耗:200mW
工作溫度范圍�-55� � +150�
BSS84/DG 的主要特性如下:
1. 極低的反向傳輸電容使其非常適合高頻開關應��
2. 具有出色� ESD 耐受能力,增強電路保護功能�
3. � Vgs 容限確保了更廣泛的驅動電壓范��
4. SOT-23 小型封裝設計有助于節(jié)� PCB 空間�
5. 低泄漏電� (<1nA) 提高了電路效��
6. 工作溫度范圍寬廣,適合各種環(huán)境條件下的應用�
BSS84/DG 還因其可靠性和�(wěn)定性而備受青�,是許多設計中的理想選擇�
BSS84/DG 在電子領域有多種應用,主要包括以下方面:
1. 開關電路:用于控制小電流負載的通斷�
2. ESD 保護:在敏感電子設備中提供靜電放電防護�
3. 信號放大:作為小信號 MOSFET 放大器的一部分�
4. 負載開關:在電源管理系統(tǒng)中實�(xiàn)負載的動�(tài)切換�
5. 電源管理:用作低壓降開關或穩(wěn)壓器的一部分�
由于其優(yōu)異的性能,BSS84/DG 廣泛應用于消費類電子產品、通信設備和工�(yè)控制系統(tǒng)等領��
BSS84P, PMV10EN, SI2302DS