時間：2025/5/20 17:04:01
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BSS123N H6327是一款N溝道小信號MOSFET晶體管，通常用于低功率開關和負載驅(qū)動應用。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于需要高效能和小型化的電路設計。
這款MOSFET廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領域，憑借其卓越的性能和可靠性，成為許多設計工程師的理想選擇。
最大漏源電壓：40V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：0.2A
脈沖漏極電流：1.2A
導通電阻：5.5Ω
總電容：18pF
開關時間：典型值25ns
BSS123N H6327具備以下顯著特點：
1. 高擊穿電壓（40V），能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
2. 極低的導通電阻（5.5Ω），有助于減少功耗并提升效率。
3. 快速開關能力，適合高頻應用環(huán)境。
4. 小型SOT-23封裝，節(jié)省PCB空間。
5. 可靠的電氣性能，適用于多種低功率應用場景。
6. 工作溫度范圍廣（-55°C至+150°C），適應各種惡劣環(huán)境。
BSS123N H6327的應用領域包括但不限于：
1. 開關電源中的初級或次級開關。
2. 負載開關，用于電池供電設備的電源管理。
3. 信號切換和隔離。
4. 音頻放大器中的保護電路。
5. 數(shù)據(jù)通信接口保護。
6. 各類便攜式設備中的邏輯電平控制開關。
由于其高效的開關特性和緊湊的設計，它在移動設備、物聯(lián)網(wǎng)設備和其他低功耗系統(tǒng)中特別受歡迎。
BSS123, BSS84, BS170
