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BSS123 發(fā)布時間 時間�2024/7/11 16:21:37 查看 閱讀�677

BSS123是一種N溝道增強型場效應晶體管(MOSFET�,由NXP Semiconductors公司生產(chǎn)。它是一種低功耗、高�、高電壓的開關器�,適用于電源管理和其他高頻應用。BSS123的封裝形式有SOT-23和SOT-323兩種�
  BSS123的最大漏極電壓為100V,最大漏極電流為170mA,內(nèi)部電阻很�,能夠快速地將信號從輸入端傳�?shù)捷敵�?。此�,它還有一個低閾值電壓(Vth),可以通過改變門極電壓來控制其導通和截止。這使得BSS123在低電壓應用中特別有用,例如電池供電系統(tǒng)中的開關電路�
  BSS123的主要應用包括電源管理、DC/DC�(zhuǎn)換器、LED�(qū)動器、無線電�、自動控制系�(tǒng)�。它還可以用于音頻放大器、信號放大器和數(shù)�(jù)采集等應用中�
  總之,BSS123是一種高性能、低功�、多功能的MOSFET,可以在許多不同的應用中�(fā)揮作�。它的小型封裝和低閾值電壓使其成為電池供電系�(tǒng)中的理想選擇�

參數(shù)與指�

BSS123是一種N溝道增強型場效應晶體管(MOSFET�,其主要參數(shù)和指標如下:
  最大漏極電壓:100V
  最大漏極電流:170mA
  阻態(tài)�1.8Ω
  頻率響應�200MHz
  閾值電壓:0.8V

組成�(jié)�

BSS123由源�、漏極和門極組�。其�,源極和漏極之間的溝道是一條N型半導體區(qū)域,而門極則是一條P型半導體區(qū)�。當向門極施加正電壓�,會形成一個電場,使得溝道中的電荷得以控制,從而控制漏極與源極之間的電��

工作原理

BSS123的工作原理可以分為導通和截止兩種情況�
  當門極施加正電壓�,會在溝道中形成一個電�,使得溝道中的電荷得以控�。如果門極電壓足夠高,就可以使得溝道完全導�,從而形成低阻態(tài)。此�,漏極與源極之間的電流可以通過BSS123流入,實�(xiàn)導通狀�(tài)。反�,當門極電壓為0�,溝道中的電荷無法被控制,BSS123處于截止狀�(tài),漏極與源極之間的電流非常小�

技術要�

BSS123的技術要點包括:
  低功耗:BSS123是一種低功耗器�,特別適用于電源管理和其他高頻應��
  高速:BSS123的內(nèi)部電阻很�,能夠快速地將信號從輸入端傳�?shù)捷敵龆恕?br>  高電壓:BSS123的最大漏極電壓為100V,可以適用于高電壓應��
  低閾值電壓:BSS123的閾值電壓很�,可以通過改變門極電壓來控制其導通和截止。這使得BSS123在低電壓應用中特別有�,例如電池供電系�(tǒng)中的開關電路�

設計流程

BSS123的設計流程可以分為以下幾個步驟:
  確定工作電壓和電流:根據(jù)應用需�,確定BSS123需要承受的最大電壓和電流�
  選擇合適的電路拓撲:根據(jù)應用需�,選擇合適的電路拓撲,如開關電路、放大器電路��
  選型和參�(shù)計算:根�(jù)應用需�,選定合適的BSS123型號,并計算其關鍵參�(shù),如漏極電流、漏極電�、門極電壓等�
  PCB設計和布局:根�(jù)電路拓撲和BSS123的特�,設計PCB布局,保證電路性能和穩(wěn)定��
  電路測試和調(diào)試:電路制作完成�,進行測試和調(diào)�,驗證電路性能和穩(wěn)定性�

常見故障和預防措�

BSS123的常見故障包括:
  損壞:BSS123可能會在過電壓或過電流條件下?lián)p�。預防措施包括限制電路的最大電壓和電流,以及使用穩(wěn)壓電源�
  漏電流過大:BSS123可能會因為溝道中存在雜質(zhì)或損壞而導致漏電流過大。預防措施包括選用質(zhì)量好的器件和提高制造工藝水平,以減少雜�(zhì)的存��
  開關速度慢:BSS123的開關速度可能會受到載荷電容和電路布局的影響。預防措施包括選用合適的�(qū)動電路和�(yōu)化電路布局�
  總之,BSS123是一種高性能、低功�、多功能的MOSFET,可以在許多不同的應用中�(fā)揮作�。在設計和使用BSS123時,需要考慮其關鍵參�(shù)和特�,并采取相應的預防措施,以保證電路的性能和穩(wěn)定��

bss123推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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bss123參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C170mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 歐姆 @ 170mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds73pF @ 25V
  • 功率 - 最�360mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSS123NBSS123NTR