BSP75NHUMA1是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TO-263封裝形式。該器件由英飛凌(Infineon)生�(chǎn),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電源管理等場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)旨在滿足高效率和高性能的需求,同時(shí)提供出色的熱性能�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏電流:75A
�(dǎo)通電阻:1.9mΩ
柵極電荷�45nC
最大功耗:250W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝形式:TO-263
BSP75NHUMA1具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率。同�(shí),它的高柵極電荷與優(yōu)化的開關(guān)特性使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
此外,該器件支持寬泛的工作溫度范�,適用于惡劣�(huán)境下的工�(yè)及汽車應(yīng)用。TO-263封裝也提供了良好的散熱性能,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
BSP75NHUMA1還具備優(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力,從而增�(qiáng)了其可靠��
該MOSFET適用于各種高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、PWM控制�、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、太陽能逆變器以及其他需要高效功率開�(guān)的場(chǎng)景。由于其大電流處理能力和低導(dǎo)通損�,它特別適合于電�(dòng)汽車充電系統(tǒng)和工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
BSC075N2L5GSA1E
BSP75NHUMAD1
IRFP2907ZPbF