日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BSP452

BSP452 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/6/5 14:55:08 查看 閱讀�631

BSP452是一款N型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),由Infineon Technologies公司生產(chǎn)。它采用了低電壓MOSFET技�(shù),適用于低電壓應(yīng)��
  BSP452的主要特�(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、低�(kāi)啟電壓和高開(kāi)�(guān)速度。它具有較低的導(dǎo)通電�,能�?qū)崿F(xiàn)較低的功耗和高效率。低�(kāi)啟電壓意味著在低電壓下也能夠正常工作,從而適用于低電壓供電系�(tǒng)。高�(kāi)�(guān)速度使其能夠快速地切換�(kāi)�(guān)狀�(tài),適用于高頻�(yīng)��
  BSP452的工作溫度范圍為-55°C�150°C,使其能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定工作。它具有良好的電流特性和可靠�,能夠在各種�(yīng)用中提供�(wěn)定可靠的性能�
  BSP452的封裝形式為T(mén)O-263,便于焊接和安裝。它可用于各種應(yīng)用,包括電源管理、驅(qū)�(dòng)電路、電�(jī)控制、照�、通信和汽�(chē)電子等領(lǐng)域�

參數(shù)和指�(biāo)

1、最大漏極電流(ID):20A
  2、最大漏�-源極電壓(VDS):100V
  3、最大柵�-源極電壓(VGS):±20V
  4、最大功率耗散(Ptot):62W
  5、導(dǎo)通電阻(RDS(on)):40mΩ
  6、開(kāi)啟電壓(Vth):2.5V
  7、工作溫度范圍:-55°C�150°C

組成�(jié)�(gòu)

1、漏極(Drain):用于接收電流的輸出端�
  2、源極(Source):用于提供電流的輸入端�
  3、柵極(Gate):用于控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)�
  4、絕緣氧化層(Gate Oxide):用于隔離柵極和漏�、源極�

工作原理

BSP452是一種增�(qiáng)型N溝道MOSFET。當(dāng)柵極電壓(VGS)大于開(kāi)啟電壓(Vth)時(shí),場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)�,電流從源極流入漏極,形成導(dǎo)通通路。當(dāng)柵極電壓低于�(kāi)啟電壓時(shí),場(chǎng)效應(yīng)晶體管截�,電流無(wú)法流�(guò),形成截�?fàn)顟B(tài)�

技�(shù)要點(diǎn)

1、低�(dǎo)通電阻:BSP452具有較低的導(dǎo)通電�,能�?qū)崿F(xiàn)較低的功耗和高效��
  2、低�(kāi)啟電壓:在低電壓下,BSP452仍能正常工作,適用于低電壓供電系�(tǒng)�
  3、高�(kāi)�(guān)速度:BSP452能夠快速地切換�(kāi)�(guān)狀�(tài),適用于高頻�(yīng)��
  4、工作溫度范圍:BSP452能夠�-55°C�150°C的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)各種�(huán)境條��

�(shè)�(jì)流程

1、確定應(yīng)用需求和工作�(huán)��
  2、根�(jù)需求選擇合適的MOSFET,如BSP452�
  3、根�(jù)MOSFET的參�(shù)和指�(biāo)�(jì)算電路參�(shù),如電流、電�、功率等�
  4、繪制電路圖并�(jìn)行電路設(shè)�(jì)�
  5、�(jìn)行電路模擬和分析,確保設(shè)�(jì)的可靠性和性能�
  6、制作原型并�(jìn)行實(shí)�(yàn)�(yàn)��
  7、根�(jù)�(shí)�(yàn)�(jié)果�(jìn)行調(diào)整和�(yōu)�,確保設(shè)�(jì)�(mǎn)足需求�

常見(jiàn)故障及預(yù)防措�

1、導(dǎo)通電阻增大:可能是由于引腳接觸不良或漏極-源極之間出現(xiàn)故障�(dǎo)致的。檢查引腳焊接情�,確保接觸良好;檢查MOSFET是否損壞,如有需要更��
  2、漏電流增大:可能是由于柵極-源極之間出現(xiàn)漏電流導(dǎo)致的。檢查MOSFET是否受到靜電擊穿等環(huán)境因素影響,如有需要采取防靜電措施�
  3、溫度過(guò)高:可能是由于過(guò)載或�(guò)電流�(dǎo)致的。檢查電路設(shè)�(jì)和散熱系�(tǒng),確保能夠有效散�;檢查電流和電壓參數(shù)是否超出MOSFET的額定范圍,如有需要�(jìn)行調(diào)��

bsp452推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

bsp452資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • BSP452
  • MiniPROFET (High-side switch Short-c...
  • SIEMENS ...
  • 閱覽

bsp452參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSP452
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)�(dòng)� - �(nèi)部開(kāi)�(guān)
  • 系列miniPROFET®
  • �(lèi)�高端
  • 輸入�(lèi)�非反�
  • 輸出�(shù)1
  • �(dǎo)通狀�(tài)電阻160 毫歐
  • 電流 - 輸出 / 通道700mA
  • 電流 - 峰值輸�1.5A
  • 電源電壓5 V ~ 34 V
  • 工作溫度-40°C ~ 150°C
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-SOT223-4
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)BSP452-NDBSP452TRSP000272112