BSO615NG是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等場景。該器件采用TO-220封裝形式,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能�,能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻:0.018Ω
柵極電荷�43nC
開關速度:典型�7ns
功耗:114W
BSO615NG的主要特性包括:
1. 超低導通電�,有助于減少�(fā)熱并提高效率�
2. 高速開關性能,適用于高頻應用場合�
3. 較高的雪崩能量能力,增強了器件在異常條件下的耐受��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的使用需��
5. TO-220封裝便于散熱設計,適合大功率應用場景�
該MOSFET廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關管或同步整流��
2. 各類電機驅動電路中作為功率開��
3. DC-DC轉換器中的功率開關元��
4. 電池保護電路及負載切換開��
5. 其他需要高性能功率開關的應用場��
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP17N6S
IXTH15N50L2