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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BSO615C G

BSO615C G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 19:46:40 查看 閱讀�38

BSO615C G 是一款N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于高�、高效能�(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,適合于各類電源管理電�,例如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  該型�(hào)由BSC公司推出,采用TO-220封裝形式,能夠有效散熱并適應(yīng)高電流工作環(huán)境�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  總功耗:130W
  �(jié)溫范圍:-55℃至150�
  存儲(chǔ)溫度范圍�-55℃至150�

特�

BSO615C G 的主要特�(diǎn)是其具備非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅�4.5毫歐姆。這有助于減少傳導(dǎo)損�,并提高系統(tǒng)效率�
  同時(shí),它擁有較快的開(kāi)�(guān)速度,能夠降低開(kāi)�(guān)損�,從而提升整體性能。此�,該器件還支持較高的峰值電流和良好的熱�(wěn)定性,適用于工�(yè)及消�(fèi)類電子領(lǐng)域中的高性能要求�
  由于采用了優(yōu)化的硅片工藝與封裝設(shè)�(jì),BSO615C G 能夠提供可靠的電氣性能和機(jī)械強(qiáng)度,在長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行中表現(xiàn)�(wěn)��

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控�
  6. 照明�(qū)�(dòng)電路
  7. 各類�(fù)載切換電�
  憑借其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)能力,BSO615C G 成為許多高效率、緊湊型�(shè)�(jì)的理想選��

替代型號(hào)

IRF540N
  STP15NF06
  FDP18N06L

bso615c g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bso615c g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列SIPMOS®
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.1A�2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C110 毫歐 @ 3.1A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 20µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs22.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds380pF @ 25V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-DSO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSO615CBSO615C G-NDBSO615CGTBSO615CGXTBSO615CINTRSP000216311