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BSO110N03MS G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 17:48:22 查看 閱讀�37

BSO110N03MS G 是一款基于硅材料� N 沃特型功率場效應(yīng)晶體� (MOSFET),主要應(yīng)用于高效�、低功耗的開關(guān)電路�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合于各種直流-直流�(zhuǎn)換器、電源管理模塊以及電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用場��
  該型號中的“BSO”代表制造商的品牌系�,�110”表示典型導(dǎo)通電阻值(單位為毫歐),“N”表� N 沃特�,�03”表示額定電壓為 30V,“MS”則表明封裝形式為表面貼裝類型�

參數(shù)

額定電壓�30V
  最大漏極電流:110A
  �(dǎo)通電阻:1.1mΩ
  柵極電荷�26nC
  總電容:450pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

BSO110N03MS G 的關(guān)鍵特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在 10V 柵源電壓下僅� 1.1 毫歐,從而減少了傳導(dǎo)損�,提高了系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,最大漏極電流可�(dá) 110 安培,適用于大功率應(yīng)用場��
  3. 快速開�(guān)性能,其較低的柵極電荷與輸出電容確保了高頻下的高效運(yùn)��
  4. 封裝采用小型化設(shè)�(jì),便于表面貼裝并節(jié)� PCB 空間�
  5. 耐高溫性能出色,工作溫度范圍可�(kuò)展至 -55� � +175�,適�(yīng)惡劣�(huán)境條件�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

BSO110N03MS G 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元件�
  2. 電動車及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)控制和驅(qū)動電��
  3. 太陽能逆變器中的功率調(diào)節(jié)組件�
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和切換功能�
  5. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,例如過流保�(hù)和短路保�(hù)�
  6. 高頻 PWM 控制器中的功率級開關(guān)元件�

替代型號

BSO118N03LS G, IRF3710, FDP150N03L

bso110n03ms g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

bso110n03ms g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 12.1A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1500pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.56W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-DSO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSO110N03MS G-NDBSO110N03MS GINTRSP000446062