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BSO104N3S 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 23:34:26 查看 閱讀:2

BSO104N3S 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET),采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和快速開關(guān)性能。該器件適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,例如開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。BSO104N3S 的封裝形式通常為 TO-252 或 DPAK,能夠提供出色的散熱性能。
  這款 MOSFET 的主要特點(diǎn)是其較低的 Rds(on)(導(dǎo)通電阻),能夠在高頻開關(guān)條件下顯著降低功耗,同時(shí)保持較高的電流承載能力。此外,它還具備良好的雪崩擊穿能力和 ESD 保護(hù)特性,從而增強(qiáng)了其在惡劣環(huán)境中的可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:4.8A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):6.5mΩ
  柵極閾值電壓:1.2V 至 3V
  總功耗:1.15W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用。
  3. 高雪崩擊穿能力,增強(qiáng)器件的魯棒性。
  4. 小尺寸封裝,節(jié)省 PCB 空間。
  5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)多種環(huán)境條件。
  6. 具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,確保長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
  7. 內(nèi)置 ESD 保護(hù),提升抗干擾能力。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
  4. 電池管理與保護(hù)電路
  5. 負(fù)載開關(guān)
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制
  7. 便攜式電子設(shè)備中的高效功率管理

替代型號(hào)

BSC010N06NS, IRLZ44N, FDN339AN

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