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時(shí)間：2025/5/22 15:09:26
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BSL806N H6327是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的增強(qiáng)型N溝道MOSFET，采用TOLL封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點(diǎn)，適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)及汽車應(yīng)用領(lǐng)域。
這款MOSFET主要針對(duì)高功率密度、高效率的設(shè)計(jì)需求而開發(fā)，其出色的開關(guān)性能和低損耗特性使其成為電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及可再生能源系統(tǒng)中的理想選擇。
型號(hào)：BSL806N H6327
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
Vds（漏源極擊穿電壓）：650V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：15mΩ（典型值，@Vgs=10V）
Id（連續(xù)漏極電流）：94A
Qg（柵極電荷）：120nC
Eoss（輸出電容儲(chǔ)能）：210μJ
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：TOLL
BSL806N H6327具備以下顯著特點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
2. 高額定電壓（650V），能夠承受較高的電壓應(yīng)力，適合多種高壓應(yīng)用場景。
3. 快速開關(guān)能力，支持高頻操作，減少開關(guān)損耗。
4. 強(qiáng)大的電流承載能力，允許高達(dá)94A的連續(xù)漏極電流。
5. 優(yōu)化的熱性能，確保在高功率條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保設(shè)計(jì)，適用于現(xiàn)代電子設(shè)備制造要求。
7. 耐熱增強(qiáng)型TOLL封裝，便于散熱并簡化PCB布局設(shè)計(jì)。
BSL806N H6327廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)用開關(guān)電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。
2. 太陽能逆變器及其他可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
3. 電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力汽車（HEV）中的車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器。
4. 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路。
5. PFC（功率因數(shù)校正）電路。
6. 各類大功率開關(guān)和負(fù)載切換應(yīng)用。
IPW90R130C6, BSC098N06LSG
