時間：2025/5/26 21:59:07
閱讀：10
BSD840N是一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管），適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。它采用SOT-23封裝形式，具有低導通電阻和快速開關(guān)速度的特點。
該器件在便攜式設(shè)備、消費電子、電源管理以及信號切換等場景中表現(xiàn)出色，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：1.5A
導通電阻：0.7Ω
柵極電荷：1.5nC
總電容：15pF
工作溫度范圍：-55℃至150℃
BSD840N的主要特性包括：
1. 超低導通電阻設(shè)計，有助于減少導通損耗。
2. 高速開關(guān)性能，適合高頻電路應(yīng)用。
3. 小型SOT-23封裝，節(jié)省PCB空間。
4. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)各種環(huán)境條件。
5. 符合RoHS標準，環(huán)保且無鉛材料制造。
此款MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源中的同步整流。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)。
3. 消費類電子產(chǎn)品如手機、平板電腦及筆記本電腦的負載開關(guān)。
4. 電池保護電路。
5. 各種需要小尺寸、高效能解決方案的場合。
AO3400
IRLML6402
FDMT6702
