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BSD5A051V28 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/26 20:23:02 查看 閱讀:10

BSD5A051V28是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝制造的高性能射頻放大器芯片,廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信系統(tǒng)中的射頻前端模塊。該芯片設(shè)計(jì)用于工作在高頻段的信號(hào)放大任務(wù),具有低噪聲、高增益和高線性度的特點(diǎn)。它特別適用于3G、4G以及部分5G基站設(shè)備、衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)以及其他需要高效率射頻放大的場(chǎng)景。
  BSD5A051V28采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),能夠有效降低寄生參數(shù)的影響,從而提升整體性能。此外,其內(nèi)部集成了匹配網(wǎng)絡(luò)和偏置電路,使得外部電路設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)單。

參數(shù)

類型:射頻放大器
  工藝:GaAs HEMT
  工作頻率范圍:5.0 GHz - 5.2 GHz
  增益:18 dB
  噪聲系數(shù):2.5 dB
  輸出1dB壓縮點(diǎn)功率:+28 dBm
  飽和輸出功率:+31 dBm
  輸入回波損耗:≥15 dB
  輸出回波損耗:≥15 dB
  電源電壓:5 V
  靜態(tài)電流:200 mA
  封裝形式:QFN-16

特性

BSD5A051V28具備以下顯著特性:
  1. 高增益與低噪聲:該芯片在指定的工作頻率范圍內(nèi)提供高達(dá)18 dB的增益,并保持2.5 dB的低噪聲系數(shù),確保信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量。
  2. 高輸出功率能力:支持高達(dá)+28 dBm的輸出1dB壓縮點(diǎn)功率,滿足大功率射頻應(yīng)用的需求。
  3. 集成度高:芯片內(nèi)部集成了匹配網(wǎng)絡(luò)和偏置電路,減少了外部元件的數(shù)量,降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度。
  4. 寬帶適用性:雖然主要針對(duì)5.0 GHz至5.2 GHz頻段優(yōu)化,但在鄰近頻段也有較好的性能表現(xiàn)。
  5. 穩(wěn)定性強(qiáng):經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試和驗(yàn)證,能夠在廣泛的溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的性能,適用于惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
  6. 小型化封裝:采用QFN-16封裝,體積小巧,適合緊湊型設(shè)計(jì)需求。

應(yīng)用

BSD5A051V28適用于多種射頻通信領(lǐng)域:
  1. 基站收發(fā)信機(jī):在3G/4G/5G基站中作為射頻功率放大器,提升信號(hào)覆蓋范圍。
  2. 衛(wèi)星通信設(shè)備:用于衛(wèi)星地面站或用戶終端中的射頻前端模塊,增強(qiáng)信號(hào)強(qiáng)度。
  3. 雷達(dá)系統(tǒng):為各類雷達(dá)設(shè)備提供可靠的射頻信號(hào)放大功能。
  4. 微波鏈路:在點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波通信系統(tǒng)中起到關(guān)鍵作用。
  5. 無(wú)線測(cè)試設(shè)備:在射頻測(cè)試儀器中充當(dāng)信號(hào)源放大器,提高測(cè)試精度。

替代型號(hào)

BSD5A051V27
  BSD5A051V29

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