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BSD235N H6327 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 1:17:27 查看 閱讀：2

BSD235N H6327是一款高性能的N溝道MOSFET功率晶體管，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提升電路效率并降低功耗。
　　其封裝形式通常為TO-220或DPAK，具體取決于制造商的設(shè)計(jì)需求，同時(shí)它也具有良好的熱性能，適合在高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景中使用。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：32A
　　導(dǎo)通電阻：4.5mΩ
　　柵極電荷：105nC
　　開關(guān)時(shí)間：典型值t_on=25ns，t_off=15ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至175℃

特性

BSD235N H6327以其卓越的電氣性能而著稱，主要特點(diǎn)包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），這可以有效減少傳導(dǎo)損耗，從而提高整體系統(tǒng)效率。
　　2. 高額定電流能力，支持大電流應(yīng)用，例如工業(yè)級(jí)電機(jī)控制和汽車電子系統(tǒng)。
　　3. 快速開關(guān)速度，降低了開關(guān)損耗，并允許更高的工作頻率。
　　4. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下依然保持可靠運(yùn)行。
　　5. 具備強(qiáng)大的抗雪崩能力，增強(qiáng)了器件的魯棒性。

應(yīng)用

這款MOSFET適用于多種電力電子領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
　　3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，如步進(jìn)電機(jī)、無刷直流電機(jī)等。
　　4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
　　5. 汽車電子設(shè)備中的電源管理和配電單元。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　FDP178N
　　STP36NF06L

bsd235n h6327推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsd235n h6327產(chǎn)品

bsd235n h6327參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSD235N
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C950mA
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C350 毫歐 @ 950mA，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.2V @ 1.6µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs0.32nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds63pF @ 10V
  • 功率 - 最大500mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-SOT363-6
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSD235N H6327-NDBSD235NH6327XTSA1SP000917652