BSC600N25NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件屬于CoolMOS系列,采用DPAK封裝形式。這款MOSFET主要用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中。它具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能,適合高頻和高效能的功率�(zhuǎn)換場��
BSC600N25NS3 G 的額定電壓為250V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)其最大持�(xù)漏極電流可達(dá)6A。通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),這款MOSFET在不同工作條件下均表�(xiàn)出優(yōu)異的性能�
額定電壓�250V
最大漏極電流:6A
�(dǎo)通電阻:180mΩ
柵極電荷�17nC
輸入電容�480pF
總電容:75pF
開關(guān)�(shí)間:9ns
封裝形式:DPAK
BSC600N25NS3 G 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:250V,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為180mΩ,減少了�(dǎo)通損耗,提升了效��
3. 快速開�(guān)速度:其低柵極電荷和快速開�(guān)�(shí)間使得器件適用于高頻電路�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠有效散��
5. 可靠性高:符合工�(yè)�(biāo)�(zhǔn),能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境中長時(shí)間運(yùn)��
6. 小型化設(shè)�(jì):DPAK封裝節(jié)省空間,適合緊湊型設(shè)�(jì)需��
這些特點(diǎn)使其成為眾多功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
BSC600N25NS3 G 常用于以下應(yīng)用場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS):提供高效的功率轉(zhuǎn)換能��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:適用于各類電壓�(diào)節(jié)模塊�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流或無刷直流電機(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
4. �(fù)載開�(guān):實(shí)�(xiàn)電路保護(hù)和精確控��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如變頻器、伺服控制器等需要高精度功率管理的場��
此外,該器件也廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、通信�(shè)備以及汽車電子等�(lǐng)域�
BSC600N25NS3
BSC600N25NS3_G
BSC600N25NS3G