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BSC600N25NS3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 9:11:06 查看 閱讀�31

BSC600N25NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件屬于CoolMOS系列,采用DPAK封裝形式。這款MOSFET主要用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中。它具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能,適合高頻和高效能的功率�(zhuǎn)換場��
  BSC600N25NS3 G 的額定電壓為250V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)其最大持�(xù)漏極電流可達(dá)6A。通過�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),這款MOSFET在不同工作條件下均表�(xiàn)出優(yōu)異的性能�

參數(shù)

額定電壓�250V
  最大漏極電流:6A
  �(dǎo)通電阻:180mΩ
  柵極電荷�17nC
  輸入電容�480pF
  總電容:75pF
  開關(guān)�(shí)間:9ns
  封裝形式:DPAK

特�

BSC600N25NS3 G 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓:250V,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:僅為180mΩ,減少了�(dǎo)通損耗,提升了效��
  3. 快速開�(guān)速度:其低柵極電荷和快速開�(guān)�(shí)間使得器件適用于高頻電路�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠有效散��
  5. 可靠性高:符合工�(yè)�(biāo)�(zhǔn),能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境中長時(shí)間運(yùn)��
  6. 小型化設(shè)�(jì):DPAK封裝節(jié)省空間,適合緊湊型設(shè)�(jì)需��
  這些特點(diǎn)使其成為眾多功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

BSC600N25NS3 G 常用于以下應(yīng)用場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):提供高效的功率轉(zhuǎn)換能��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:適用于各類電壓�(diào)節(jié)模塊�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制直流或無刷直流電機(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
  4. �(fù)載開�(guān):實(shí)�(xiàn)電路保護(hù)和精確控��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如變頻器、伺服控制器等需要高精度功率管理的場��
  此外,該器件也廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、通信�(shè)備以及汽車電子等�(lǐng)域�

替代型號(hào)

BSC600N25NS3
  BSC600N25NS3_G
  BSC600N25NS3G

bsc600n25ns3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsc600n25ns3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC600N25NS3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫歐 @ 25A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 90µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2350pF @ 100V
  • 功率 - 最�125W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TDSON-8�5.15x6.15�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSC600N25NS3 G-NDBSC600N25NS3 GTRSP000676402