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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BSC150N03LD G

BSC150N03LD G 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 11:31:01 查看 閱讀�16

BSC150N03LD G是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用TOLL封裝,適用于高頻開關和高效能功率�(zhuǎn)換應用。其額定電壓�30V,連續(xù)漏極電流高達150A,具有低導通電阻和快速開關特�,非常適合用于直�-直流�(zhuǎn)換器、同步整�、電機驅(qū)動以及電池保護等場景�
  這款MOSFET以其卓越的熱性能和電氣性能而聞�,能夠在高電流密度下保持較低的功率損�,從而提升整體系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�150A
  導通電阻(典型值)�1.2mΩ
  柵極電荷(典型值)�96nC
  輸入電容�4780pF
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  封裝類型:TOLL

特�

1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在不同工作條件下均能降低功��
  2. 高電流承載能�,支持大功率應用�
  3. 快速開關速度,減少開關損耗并提高效率�
  4. �(yōu)化的熱性能設計,允許更高的結溫操作�
  5. 提供強大的抗雪崩能力和魯棒�,確保在異常情況下仍能可靠工��
  6. 小巧的TOLL封裝形式,便于表面貼裝和自動化生�(chǎn)�

應用

1. 服務器和通信電源中的高效功率�(zhuǎn)��
  2. 工業(yè)電機�(qū)動和伺服控制器�
  3. 新能源汽車內(nèi)的電池管理系�(tǒng)(BMS)和DC/DC�(zhuǎn)��
  4. 開關模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)�
  5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關設��
  6. 高效負載開關和保護電路�

替代型號

BSC120N03LS_G, IRF3710TRPBF, FDP150AN03L

bsc150n03ld g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsc150n03ld g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC150N03LD GBSC150N03LD G
  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列OptiMOS™
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13.2nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1100pF @ 15V
  • 功率 - 最�26W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應商設備封�PG-TDSON-8�5.15x6.15�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSC150N03LD G-NDBSC150N03LD GTRSP000359362