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BSC096N10LS5 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 14:43:11 查看 閱讀�26

BSC096N10LS5 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用先�(jìn)� TRENCHSTOP? 技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于高效能電源管理�(yīng)��
  這種 MOSFET 主要適用于工�(yè)和汽�(chē)�(lǐng)�,提供出色的熱性能和電氣性能,同�(shí)封裝形式� TO-Leadless(TOLL),有助于實(shí)�(xiàn)緊湊的系�(tǒng)�(shè)�(jì)�

參數(shù)

型號(hào):BSC096N10LS5
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源電壓)�100V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�9.6mΩ
  IDS(連續(xù)漏極電流):128A
  功耗:317W
  柵極電荷(Qg):45nC
  �(kāi)�(guān)損耗:�
  工作溫度范圍�-55°C � 175°C
  封裝:TO-Leadless (TOLL)
  絕緣耐壓�1500Vrms

特�

BSC096N10LS5 的主要特�(diǎn)是其� RDS(on) 值僅� 9.6mΩ,從而顯著減少了傳導(dǎo)損�。此�,它還具備以下優(yōu)�(diǎn)�
  - 高效� TRENCHSTOP? 技�(shù)使器件在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  - 極低的柵極電荷(45nC)確保了快速的�(kāi)�(guān)速度,降低了�(kāi)�(guān)損��
  - 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適�(yīng)惡劣�(huán)境�
  - 采用 TO-Leadless 封裝,提升了功率密度并優(yōu)化了 PCB 空間利用��
  - 符合 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適合汽�(chē)�(jí)�(yīng)��
  - 具有較高的雪崩能力和魯棒性,可提升系�(tǒng)可靠��

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種高效率、高功率密度的場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  - 太陽(yáng)能逆變�
  - 電動(dòng)汽車(chē)充電�(shè)�
  - 工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)的功率級(jí)模塊
  BSC096N10LS5 的高性能和高可靠性使其成為許多大功率�(zhuǎn)換和�(qū)�(dòng)�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

BSC100N10LS5
  BSC085N10LS5
  IRFB4110TRPBF
  FDP15U10A

bsc096n10ls5推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)