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BSC0901NS 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 18:06:39 查看 閱讀�30

BSC0901NS是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特點,適合用于各種功率轉換和開關應�。它通常應用于電源管�、電機驅動、負載開關等領域�
  該MOSFET的主要特點是其優(yōu)化的導通電阻和柵極電荷參數(shù),能夠顯著提高效率并降低功�。BSC0901NS采用了TO-252封裝形式,這種封裝具有良好的散熱性能和電氣特��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�8.4A
  導通電阻:12mΩ
  柵極電荷�13nC
  總電容:115pF
  工作結溫范圍�-55� to 150�

特�

BSC0901NS具備以下關鍵特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流應用中有效減少功耗�
  2. 高開關速度,適用于高頻開關應用�
  3. �(yōu)化的柵極電荷設計,降低了驅動損��
  4. 提供了出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,適應苛刻的工作�(huán)境�
  5. TO-252封裝形式提供了良好的電氣連接和散熱性能�

應用

BSC0901NS廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC轉換器中的功率開��
  3. 負載開關和保護電��
  4. 電池管理和保護電路�
  5. 電機驅動和控制電��
  6. 各種工業(yè)和消費類電子設備中的功率轉換和控��

替代型號

BSC0902NS, BSC1001NS

bsc0901ns推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsc0901ns參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC0901NS
  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.9 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2800pF @ 15V
  • 功率 - 最�69W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�PG-TDSON-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSC0901NSTRSP000800248