BSC070N10NS5 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用 DPAK (TO-263) 封裝,廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等領(lǐng)��
這款 MOSFET 具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠在高效率的應用場景中提供可靠的性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�7A
導通電阻(典型值)�9.5mΩ
柵極電荷�26nC
開關(guān)頻率:最高可� 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:DPAK (TO-263)
BSC070N10NS5 的主要特性包括:
1. 低導通電阻設(shè)計,有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能,支持高頻應用需��
3. 高擊穿電壓(100V�,適用于多種電壓等級的應��
4. 熱穩(wěn)定性強,能夠承受較高結(jié)溫(高達 175℃)�
5. 小型化封�,便� PCB 布局�(yōu)��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
BSC070N10NS5 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
3. 電機控制和驅(qū)動電路中的功率級元件�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電��
6. LED �(qū)動器和其他高效能電子�(shè)備�
BSC070N10NS3G, IRFZ44N