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BSC060N10NS3G 發(fā)布時間 時間�2025/5/14 17:23:27 查看 閱讀�20

BSC060N10NS3G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 灃道溝槽型場效應晶體管(MOSFET�。該器件采用先進的溝槽技�(shù),具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)性能。它適用于各種高效率、高功率密度的應用場�,例如開�(guān)電源、電機驅(qū)動和電信�(shè)��
  這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-252/DPAK 封裝,有助于提高散熱性能并節(jié)省電路板空間�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�6.9A
  導通電阻:45mΩ(典型值,� VGS=10V 時)
  柵極電荷�7nC(典型值)
  總功耗:1.1W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

BSC060N10NS3G 具有以下顯著特性:
  1. 超低導通電阻設(shè)�,有助于減少導通損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應��
  3. �(nèi)置二極管反向恢復時間短,降低開關(guān)損��
  4. 極高的雪崩擊穿能力和魯棒�,能夠應對惡劣的工作條件�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  6. 小型封裝,易于集成到緊湊型設(shè)計中�

應用

� MOSFET 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�,包� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電池充電器,用于筆記本電�、手機和其他便攜式設(shè)備�
  3. 電機�(qū)動控�,特別是小功率電機控��
  4. 電信�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. 固態(tài)繼電器和其他工業(yè)自動化設(shè)��
  6. LED 照明�(qū)動電路,提供高效節(jié)能的解決方案�

替代型號

BSC060N10NS5G, BSC060N10NS3

bsc060n10ns3g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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