BSC060N10NS3G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 灃道溝槽型場效應晶體管(MOSFET�。該器件采用先進的溝槽技�(shù),具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)性能。它適用于各種高效率、高功率密度的應用場�,例如開�(guān)電源、電機驅(qū)動和電信�(shè)��
這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-252/DPAK 封裝,有助于提高散熱性能并節(jié)省電路板空間�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�6.9A
導通電阻:45mΩ(典型值,� VGS=10V 時)
柵極電荷�7nC(典型值)
總功耗:1.1W
工作溫度范圍�-55� � +175�
BSC060N10NS3G 具有以下顯著特性:
1. 超低導通電阻設(shè)�,有助于減少導通損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應��
3. �(nèi)置二極管反向恢復時間短,降低開關(guān)損��
4. 極高的雪崩擊穿能力和魯棒�,能夠應對惡劣的工作條件�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
6. 小型封裝,易于集成到緊湊型設(shè)計中�
� MOSFET 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,包� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 電池充電器,用于筆記本電�、手機和其他便攜式設(shè)備�
3. 電機�(qū)動控�,特別是小功率電機控��
4. 電信�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 固態(tài)繼電器和其他工業(yè)自動化設(shè)��
6. LED 照明�(qū)動電路,提供高效節(jié)能的解決方案�
BSC060N10NS5G, BSC060N10NS3