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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BSC057N08NS3 G

BSC057N08NS3 G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 11:53:42 查看 閱讀�38

BSC057N08NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。它主要適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場�,如開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器�。該器件的封裝形式為 DPAK (TO-252),適合表面貼裝工��

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  連續(xù)漏極電流�14A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�5.7mΩ
  柵極電荷(典型值)�6nC
  輸入電容(典型值)�1190pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�

特�

BSC057N08NS3 G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低傳導(dǎo)損��
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 高雪崩能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
  4. 采用無鉛封裝,符合環(huán)保要��
  5. 小型化設(shè)�(jì),有助于節(jié)� PCB 空間�
  6. 可靠性高,能在惡劣環(huán)境下長期�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,包括適配器和充電器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路,例如家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于汽車電子或工業(yè)自動(dòng)化設(shè)��
  4. 各種電池管理系統(tǒng)的功率路徑控制�
  5. 固態(tài)繼電器和其他需要高效開�(guān)操作的場��

替代型號(hào)

BSC058N08NS3 G, IRF840, FDP057AN

bsc057n08ns3 g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsc057n08ns3 g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC057N08NS3 GBSC057N08NS3 G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.7 毫歐 @ 50A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.5V @ 73µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs56nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3900pF @ 40V
  • 功率 - 最�114W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TDSON-8�5.15x6.15�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSC057N08NS3 G-NDBSC057N08NS3 GTRSP000447542