BSC057N08NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。它主要適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場�,如開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器�。該器件的封裝形式為 DPAK (TO-252),適合表面貼裝工��
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流�14A
�(dǎo)通電阻(典型值)�5.7mΩ
柵極電荷(典型值)�6nC
輸入電容(典型值)�1190pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
BSC057N08NS3 G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低傳導(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
4. 采用無鉛封裝,符合環(huán)保要��
5. 小型化設(shè)�(jì),有助于節(jié)� PCB 空間�
6. 可靠性高,能在惡劣環(huán)境下長期�(wěn)定運(yùn)��
這款 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,包括適配器和充電器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路,例如家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于汽車電子或工業(yè)自動(dòng)化設(shè)��
4. 各種電池管理系統(tǒng)的功率路徑控制�
5. 固態(tài)繼電器和其他需要高效開�(guān)操作的場��
BSC058N08NS3 G, IRF840, FDP057AN