BSC052N08NS5 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 沍爾 MOSFET。該器件采用先進的溝槽式技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能。其主要�(yīng)用包括開�(guān)電源、電機驅(qū)動、負載切換等�(lǐng)��
該芯片的�(shè)計目�(biāo)是實�(xiàn)高效能和高可靠性,適合用于對功率效率要求較高的場景�
最大漏源電壓:80V
持續(xù)漏極電流�49A
�(dǎo)通電阻:1.3mΩ
柵極電荷�65nC
開關(guān)速度:超�
封裝類型:DPAK(TO-263�
BSC052N08NS5 的核心優(yōu)勢在于其極低的導(dǎo)通電阻(� 1.3mΩ�,這顯著降低了功率損�,提升了整體系統(tǒng)效率�
此外,其快速開�(guān)能力和較低的柵極電荷使得它非常適合高頻應(yīng)用環(huán)�。器件具備出色的熱性能,能夠有效管理散熱問�,并支持長時間穩(wěn)定運��
其堅固的�(shè)計也保證了在�(yán)苛條件下的可靠工�,同時兼容多種保護機制以增強系統(tǒng)的安全性�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配�、LED �(qū)動器、不間斷電源(UPS�、太陽能逆變器以及電動工具等�(shè)備中�
由于其卓越的電氣特性和熱穩(wěn)定�,它也常被選用在汽車電子�(lǐng)域,例如車載充電器和電動車窗控制模塊等場��
BSC052N08NS3G, IRFZ44N, FDP5570N