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BSC050NE2LS 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/28 17:20:51 查看 閱讀：19

BSC050NE2LS 是一款 N 沱溝道功率 MOSFET，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特性，適用于多種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式通常為 TO-263（D2PAK），適合表面貼裝技術(shù)（SMT）組裝。這款 MOSFET 在高效能、緊湊型設(shè)計(jì)中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)功率效率和可靠性的要求。
　　該器件的工作電壓范圍較寬，適用于各種直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：41A
　　導(dǎo)通電阻：1.8mΩ
　　柵極電荷：58nC
　　總電容：2050pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

BSC050NE2LS 具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高電流承載能力，支持高達(dá) 41A 的連續(xù)漏極電流。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能，柵極電荷較小，從而降低開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 工作溫度范圍廣，能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合全球市場(chǎng)。
　　6. 封裝形式為 TO-263，具備良好的熱特性和機(jī)械強(qiáng)度。

應(yīng)用

BSC050NE2LS 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　4. 通信電源、不間斷電源（UPS）以及其他需要高效功率管理的應(yīng)用。
　　5. 各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，包括降壓和升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
　　6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的功率控制單元。

替代型號(hào)

BSC050N06NS3
　　BSC050NE2LSS
　　IRLB8729PBF

bsc050ne2ls推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

bsc050ne2ls參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表BSC050NE2LS
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝5,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C58A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5 毫歐 @ 30A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs10.4nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds760pF @ 12V
  • 功率 - 最大28W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PG-TDSON-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)BSC050NE2LS-NDBSC050NE2LSATMA1SP000756340