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BSC050N03LS G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 10:42:46 查看 閱讀�26

BSC050N03LS G 是一款來(lái)� Infineon(英飛凌)的 N 沱道 �(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�。該器件采用先�(jìn)的溝槽技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于高效能的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。BSC050N03LS G 提供了卓越的熱性能和電氣特�,使其成為眾多工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
  � MOSFET 的封裝形式為 TO-Leadless(TOLL),有助于實(shí)�(xiàn)更小的占板面積和更高的散熱效��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�26nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:TO-Leadless(TOLL�

特�

BSC050N03LS G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能力(高達(dá) 50A�,滿足大功率�(yīng)用需��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�,適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用�
  4. 采用 TO-Leadless 封裝,提供優(yōu)越的熱性能和緊湊的�(shè)�(jì)�
  5. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C),確保在極端環(huán)境下的可靠��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�

�(yīng)�

BSC050N03LS G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電動(dòng)工具中的電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽�(chē)中的電源管理
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控�
  7. 家用電器的高效功率轉(zhuǎn)換模�

替代型號(hào)

BSC048N03LS G, IRF3710, FDP057N03L

bsc050n03ls g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsc050n03ls g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

bsc050n03ls g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC050N03LS G
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝5,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C80A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫歐 @ 30A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs35nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2800pF @ 15V
  • 功率 - 最�50W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TDSON-8�5.15x6.15�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSC050N03LSGBSC050N03LSGINTRBSC050N03LSGXTSP000269785