BSC036NE7NS3 G 是一款由英飛凌(Infineon)生產的MOSFET功率晶體�,采用先進的溝槽技術制�。該器件具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,廣泛應用于各種電源轉換和電機驅動應用中。它屬于OptiMOS系列,設計用于提高效率并減少功率損��
該MOSFET的主要特點是其額定電壓為700V,使其適合高壓環(huán)境下的應�。同�,它還具有較低的柵極電荷和輸出電荷,這有助于提升系統(tǒng)效率并降低開關損��
最大漏源電壓:700V
連續(xù)漏極電流�3.6A
導通電阻(Rds(on)):820mΩ
柵極電荷�15nC
總電容(Ciss):450pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 高電壓耐受能力,適用于工業(yè)和汽車應用中的高壓場景�
2. 極低的導通電�,確保在高負載條件下保持高效運行�
3. 快速開關性能,能夠顯著降低開關損�,提升整體效��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,即使在極端溫度�(huán)境下也能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 小型封裝設計,便于集成到緊湊型電路板中�
BSC036NE7NS3 G 主要應用于需要高效率和高可靠性的場景,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�,如適配器和充電��
2. 電機驅動器,例如家用電器中的小型電機控制�
3. 熒光燈和LED照明驅動電路�
4. 工業(yè)自動化設備中的電源管理模��
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
6. 汽車電子領域,如電動車窗、座椅調節(jié)等輔助系�(tǒng)�
BSC036NE7MS3 G, BSC036N07NS3