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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BSC027N04LS G

BSC027N04LS G 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 16:00:35 查看 閱讀�16

BSC027N04LS G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用� TRENCHSTOP 技�,旨在提供低導通電阻和高開關效�。它通常用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景,如開關電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載切換等。此器件封裝� TO-Leadless(TOLL�,具備良好的熱性能和緊湊的尺寸�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�63A
  導通電阻(Rds(on)):2.7mΩ
  柵極電荷�39nC
  總電容:1050pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

BSC027N04LS G 的主要特點是其超低的導通電阻(Rds(on)�,僅� 2.7mΩ,這使得它在高電流應用中能夠顯著降低功耗�
  此外,它具有快速開關速度,柵極電荷較�,有助于減少開關損耗�
  TRENCHSTOP 技術的應用提升了器件的魯棒性和可靠��
  TO-Leadless 封裝不僅提供了出色的散熱能力,還減少了寄生電�,從而進一步優(yōu)化了開關性能�
  該器件還具有較高的雪崩擊穿能力和短路耐受時間,使其能夠在嚴苛條件下可靠運��

應用

BSC027N04LS G 廣泛應用于各種功率電子領域,包括但不限于�
  1. 開關模式電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)�
  4. 電信設備中的負載開關
  5. 工業(yè)自動化控�
  6. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模�
  由于其高效的功率處理能力和緊湊的封裝形式,這款 MOSFET 非常適合空間受限且對效率要求較高的應用場景�

替代型號

BSC028N04LS G, IRFZ44N, FDP067N04L

bsc027n04ls g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsc027n04ls g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC027N04LS GBSC027N04LS G
  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.7 毫歐 @ 50A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 49µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs85nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6800pF @ 20V
  • 功率 - 最�83W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�PG-TDSON-8�5.15x6.15�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BSC027N04LS G-NDBSC027N04LS GTRSP000354810