BSC027N04LS G 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用� TRENCHSTOP 技�,旨在提供低導通電阻和高開關效�。它通常用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景,如開關電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載切換等。此器件封裝� TO-Leadless(TOLL�,具備良好的熱性能和緊湊的尺寸�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�63A
導通電阻(Rds(on)):2.7mΩ
柵極電荷�39nC
總電容:1050pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
BSC027N04LS G 的主要特點是其超低的導通電阻(Rds(on)�,僅� 2.7mΩ,這使得它在高電流應用中能夠顯著降低功耗�
此外,它具有快速開關速度,柵極電荷較�,有助于減少開關損耗�
TRENCHSTOP 技術的應用提升了器件的魯棒性和可靠��
TO-Leadless 封裝不僅提供了出色的散熱能力,還減少了寄生電�,從而進一步優(yōu)化了開關性能�
該器件還具有較高的雪崩擊穿能力和短路耐受時間,使其能夠在嚴苛條件下可靠運��
BSC027N04LS G 廣泛應用于各種功率電子領域,包括但不限于�
1. 開關模式電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)�
4. 電信設備中的負載開關
5. 工業(yè)自動化控�
6. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模�
由于其高效的功率處理能力和緊湊的封裝形式,這款 MOSFET 非常適合空間受限且對效率要求較高的應用場景�
BSC028N04LS G, IRFZ44N, FDP067N04L