BSC022N04LS6是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件屬于OptiMOS系列,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于各種開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用。其封裝形式為SOT223-4L,適合表面貼裝工��
這款MOSFET的主要特點是極低的導通電阻(Rds(on)),這有助于減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)的效�。同時,它還具備較高的雪崩能力和出色的熱�(wěn)定�,能夠在嚴苛的工作環(huán)境下可靠運行�
最大漏源電壓:40V
最大連續(xù)漏電流:9.5A
導通電阻(Rds(on)):2.2mΩ
柵極電荷�17nC
總電容(Ciss):1280pF
功耗:13.2W
工作結溫范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導通電阻(2.2mΩ�,能夠顯著降低傳導損��
2. 高效的開關性能,適用于高頻開關應用�
3. 封裝形式為SOT223-4L,便于集成到緊湊型設計中�
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�,確保在高溫�(huán)境下正常工作�
5. 提供了良好的雪崩能力,增強了器件的魯棒性�
6. 工作溫度范圍�,適應多種環(huán)境需��
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關�
2. DC-DC轉換器中的同步整流和主開��
3. 電機驅動電路中的功率級控制�
4. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關�
5. 各類工業(yè)電子設備中的功率管理模塊�
6. 汽車電子中的負載切換和保護電��
BSC022N04LSG
BSC022N04LS5