BSC022N04LS是一款由Infineon Technologies(英飛凌科技)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其額定電壓�40V,連續(xù)漏極電流可達(dá)2.2A(在特定條件下),非常適合用于消�(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及汽車電子等�(lǐng)域中的負(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)��
該器件采用SOT23-3L封裝形式,體積小�,便于安裝,并具備優(yōu)異的熱性能,有助于提高系統(tǒng)的整體效率和可靠��
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�2.2A
�(dǎo)通電阻(典型值)�150mΩ
柵極電荷�3.5nC
開關(guān)�(shí)間:典型值t_on=15ns,典型值t_off=18ns
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:SOT23-3L
BSC022N04LS的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,有助于減少開關(guān)損��
3. 高度集成的小型封裝(SOT23-3L�,節(jié)省PCB空間�
4. 較寬的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
5. 符合Ro�
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件的抗靜電能��
這些特點(diǎn)使得該MOSFET特別適合要求高效率和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
BSC022N04LS廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)和電源管��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
3. 小功率電�(jī)�(qū)�(dòng)和控��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的輔助功能模塊控制�
由于其出色的性能和靈活�,這款MOSFET幾乎可以滿足所有需要低壓小電流開關(guān)的應(yīng)用需求�
BSC022N04LSG
BSC022N04LSD1
IRLB8721PBF
FDP5576
AO3400