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BSC022N03SG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 10:07:54 查看 閱讀�34

BSC022N03SG 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N �(méi)爾場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOS�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn)。這種 NMOS 器件適用于多種電源管理應(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)��
  該器件的最大額定電壓為 30V,適合低壓系�(tǒng)�(shè)�(jì)。由于其出色的效率和緊湊的封裝形�,BSC022N03SG 在消�(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備和通信�(shè)備領(lǐng)域中得到廣泛�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.2mΩ
  柵極電荷(典型值)�8nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:t_on=9ns, t_off=16ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-Leadless(TOLL�

特�

BSC022N03SG 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),確保在大電流應(yīng)用中的高效能量轉(zhuǎn)換和最小化功��
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能得益于較低的柵極電荷 (Qg),這使得該器件非常適合高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  3. 緊湊的無(wú)引腳封裝 (TOLL) 提供了良好的熱性能和電氣連接,同�(shí)節(jié)省了 PCB 空間�
  4. 工作溫度范圍寬廣 (-55°C � +175°C),能夠適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持�(wú)鉛焊接工��

�(yīng)�

BSC022N03SG 的典型應(yīng)用包括:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流和主�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器中的功率級(jí)�(kāi)�(guān)�
  5. 各種工業(yè)和消�(fèi)類設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換模塊�

替代型號(hào)

BSC022N03LS G, IPS022N03L, FDP022AN

bsc022n03sg推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bsc022n03sg參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)28A(Ta��100A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)2.2 毫歐 @ 50A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2V @ 110μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)64 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)8290 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.8W(Ta��104W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TDSON-8-1
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN