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BSC021N08NS5 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 10:40:13 查看 閱讀�40

BSC021N08NS5是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用小型SOT-23封裝形式。該器件具有低導通電阻(Rds(on)�,適用于多種高效能開�(guān)應用。它廣泛用于消費電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,能夠提供出色的性能和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  最大柵極源極電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�2.1A
  導通電阻:0.95Ω(典型值,在Vgs=10V時)
  總功耗:410mW
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

BSC021N08NS5具有以下顯著特點�
  1. 低導通電阻設(shè)計有助于減少傳導損�,從而提升系�(tǒng)效率�
  2. 高雪崩擊穿能量增強了器件的耐用性和魯棒��
  3. 小型SOT-23封裝適合空間受限的應用場��
  4. 極低的輸入電容和輸出電容使其在高頻開�(guān)電路中表�(xiàn)出色�
  5. 工作溫度范圍�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��

應用

替代型號

BSC026N08NS5
  BSC022N06NS5
  Si2302DS

bsc021n08ns5推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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