BSC021N08NS5是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用小型SOT-23封裝形式。該器件具有低導通電阻(Rds(on)�,適用于多種高效能開�(guān)應用。它廣泛用于消費電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,能夠提供出色的性能和可靠��
最大漏源電壓:80V
最大柵極源極電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�2.1A
導通電阻:0.95Ω(典型值,在Vgs=10V時)
總功耗:410mW
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
BSC021N08NS5具有以下顯著特點�
1. 低導通電阻設(shè)計有助于減少傳導損�,從而提升系�(tǒng)效率�
2. 高雪崩擊穿能量增強了器件的耐用性和魯棒��
3. 小型SOT-23封裝適合空間受限的應用場��
4. 極低的輸入電容和輸出電容使其在高頻開�(guān)電路中表�(xiàn)出色�
5. 工作溫度范圍�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
BSC026N08NS5
BSC022N06NS5
Si2302DS