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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BSC019N04NS G

BSC019N04NS G 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 15:32:10 查看 閱讀�35

BSC019N04NS G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TRENCHSTOP? 技�,具有較低的導通電阻和�(yōu)異的開關性能,適合用于高頻開關應用和功率轉換電路�
  這款 MOSFET 的封裝形式為 SuperSO8(DDPAK),其典型應用場景包� DC-DC 轉換�、電機驅�、負載開關、以及電池保護等�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�62A
  導通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�34nC
  輸入電容�2700pF
  總功耗:70W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

BSC019N04NS G 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導通電阻,能夠有效降低功率損�,提升效率�
  2. 高額定電流和高耐壓能力,確保在各種復雜工況下的可靠性�
  3. �(yōu)化的開關性能,減少了開關損�,并降低了電磁干擾(EMI��
  4. 小型化封裝設計,SuperSO8 封裝節(jié)省了 PCB 空間�
  5. 通過 AEC-Q101 認證,適用于汽車級應��
  6. 在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能,適合工�(yè)及汽車領��

應用

該器件廣泛應用于多種功率電子場景,包括但不限于:
  1. 各類 DC-DC 轉換�,例如降壓或升壓拓撲�
  2. 開關電源中的主開關管或同步整流管�
  3. 電動車和混合動力車中的電池管理系�(tǒng)(BMS��
  4. 工業(yè)自動化設備中的電機驅動與控制�
  5. 高效負載開關設計�
  6. 快速充電器和適配器中的功率管理部分�

替代型號

BSC016N04NS G, BSC020N04NS G

bsc019n04ns g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bsc019n04ns g參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表BSC019N04NS G
  • 標準包裝5,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列OptiMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.9 毫歐 @ 50A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 85µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs108nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds8800pF @ 20V
  • 功率 - 最�125W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應商設備封�PG-TDSON-8�5.15x6.15�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SP000388299