BSC019N04NS G 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用 TRENCHSTOP? 技�,具有較低的導通電阻和�(yōu)異的開關性能,適合用于高頻開關應用和功率轉換電路�
這款 MOSFET 的封裝形式為 SuperSO8(DDPAK),其典型應用場景包� DC-DC 轉換�、電機驅�、負載開關、以及電池保護等�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�62A
導通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
柵極電荷�34nC
輸入電容�2700pF
總功耗:70W
工作溫度范圍�-55� � +175�
BSC019N04NS G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻,能夠有效降低功率損�,提升效率�
2. 高額定電流和高耐壓能力,確保在各種復雜工況下的可靠性�
3. �(yōu)化的開關性能,減少了開關損�,并降低了電磁干擾(EMI��
4. 小型化封裝設計,SuperSO8 封裝節(jié)省了 PCB 空間�
5. 通過 AEC-Q101 認證,適用于汽車級應��
6. 在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能,適合工�(yè)及汽車領��
該器件廣泛應用于多種功率電子場景,包括但不限于:
1. 各類 DC-DC 轉換�,例如降壓或升壓拓撲�
2. 開關電源中的主開關管或同步整流管�
3. 電動車和混合動力車中的電池管理系�(tǒng)(BMS��
4. 工業(yè)自動化設備中的電機驅動與控制�
5. 高效負載開關設計�
6. 快速充電器和適配器中的功率管理部分�
BSC016N04NS G, BSC020N04NS G