時間：2025/5/23 16:34:58
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BS170是一種N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），廣泛應用于各種電子電路中。它具有低導通電阻、快速開關特性和高可靠性，適合于開關電源、脈寬調制（PWM）控制器以及音頻功率放大器等應用。
該器件采用TO-92封裝形式，體積小巧，便于安裝和使用。由于其出色的電氣性能和較低的成本，BS170成為許多低電壓、小電流應用中的理想選擇。
最大漏源電壓：40V
最大柵源電壓：±20V
最大漏極電流：0.5A
最大功耗：370mW
導通電阻：1.8Ω
柵極電荷：5nC
工作溫度范圍：-55℃至+150℃
BS170具有以下主要特性：
1. N溝道增強型MOSFET結構，提供高效的開關功能。
2. 極低的導通電阻，有助于減少功率損耗并提高效率。
3. 快速的開關速度，適用于高頻應用環(huán)境。
4. 較高的柵極閾值電壓穩(wěn)定性，確保了可靠的控制能力。
5. 小巧的TO-92封裝設計，節(jié)省空間且易于集成到各種電路板中。
6. 寬泛的工作溫度范圍，適應多種惡劣環(huán)境條件下的使用需求。
BS170常用于以下領域：
1. 開關電源中的初級或次級側開關。
2. 脈寬調制（PWM）控制器中的驅動元件。
3. 音頻功率放大器中的輸出級開關。
4. 各種電池供電設備中的負載開關。
5. 信號切換與隔離電路中的關鍵組件。
6. 小功率電機驅動及保護電路中的核心部件。
2N7000, BSS138, FDN340P
