BS0604NS2是一種N溝道增強型功率MOSFET,采用小型SOT-23封裝形式。該器件具有低導通電阻(Rds(on))特�,適用于需要高效能和小尺寸的應用場�。其工作電壓范圍較廣,適合在中低壓環(huán)境下使用,同時具備快速開關速度和低柵極電荷的特�,能夠有效減少開關損��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4A
導通電阻:105mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
柵極電荷�8nC(典型值)
輸入電容�300pF(典型值)
總功耗:400mW(在Tc=25℃時�
工作結溫范圍�-55℃至+150�
BS0604NS2是一款高性能的功率MOSFET,主要特點如下:
1. 超低導通電阻設計,有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 小巧的SOT-23封裝使其非常適合空間受限的應用環(huán)境�
3. 快速開關性能,可滿足高頻開關應用的需��
4. 高雪崩擊穿能量能力,增強了器件在異常條件下的可靠��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�
6. 熱穩(wěn)定性良�,能夠在較寬的溫度范圍內正常工作�
BS0604NS2廣泛應用于各種電子電路中,常見的應用領域包括�
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. 直流-直流轉換器(DC-DC Converter)�
3. 電池保護電路�
4. 消費類電子產(chǎn)品中的負載開關�
5. 電機驅動和控��
6. 便攜式設備的電源管理模塊�
7. 各種保護電路,如過流保護和短路保��
AO3400A, FDN340AN, IRLML6402