BL2N60R是一種高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電源等領(lǐng)�。它屬于N溝道增強(qiáng)型器�,能夠承受較高的電壓,并且具備較低的�(dǎo)通電阻,從而實(shí)�(xiàn)高效的功率管��
該芯片的主要特點(diǎn)是高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻以及快速開(kāi)�(guān)性能,適合在高頻�(yīng)用中使用�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�2A
�(dǎo)通電阻:4.5Ω
柵極閾值電壓:4V
總功耗:2W
工作溫度范圍�-55℃至150�
BL2N60R具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,適用于高壓�(huán)境下的電路設(shè)�(jì)�
2. 低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗并提升效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度使其能夠在高頻條件下�(wěn)定運(yùn)��
4. 小型封裝節(jié)省了PCB板空�,同�(shí)提供了良好的散熱性能�
5. 寬泛的工作溫度范圍保證其在極端環(huán)境下仍能正常工作�
BL2N60R適用于多種功率電子應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. 逆變器及電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
3. LED�(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)器件�
4. 各種工業(yè)控制�(shè)備中的信�(hào)隔離與功率放大模��
5. 充電器、適配器等消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換組件�
IRF840, K1208