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BL050N03D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 11:42:32 查看 閱讀:7

BL050N03D是一款高壓MOSFET,采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)。該器件適用于各種開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域,能夠顯著提高效率并減少能量損耗。
  BL050N03D屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其額定電壓為30V,能夠滿足中低壓應(yīng)用場景的需求。通過優(yōu)化的芯片結(jié)構(gòu)和封裝技術(shù),這款器件能夠在高頻開關(guān)條件下保持出色的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:50A
  導(dǎo)通電阻(典型值):4.5mΩ
  柵極電荷:28nC
  輸入電容:1540pF
  開關(guān)速度:快
  工作溫度范圍:-55℃至175℃

特性

BL050N03D的主要特性包括低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及高溫穩(wěn)定性。低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率�?焖匍_關(guān)速度使得該器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,減少了開關(guān)損耗。
  此外,BL050N03D具備寬泛的工作溫度范圍,使其能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí),該器件還采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),增強(qiáng)了散熱性能和可靠性,非常適合需要高功率密度的應(yīng)用場景。

應(yīng)用

BL050N03D廣泛應(yīng)用于多種電力電子設(shè)備中,例如開關(guān)電源適配器、通信電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、電動工具以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
  具體來說,它常用于降壓或升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流電路、電池充電管理系統(tǒng)以及負(fù)載切換電路等領(lǐng)域。由于其高效的性能和可靠性,BL050N03D成為許多工程師在設(shè)計(jì)高效能功率轉(zhuǎn)換方案時(shí)的首選。

替代型號

IRFZ44N
  FDP5800
  STP50NF06L

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