類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：45A
　　導(dǎo)通電阻：1.2mΩ（典型值）
　　總功耗：15W
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-247

BL-HG836G-TRB的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，可顯著降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
　　3. 強(qiáng)大的過(guò)流保護(hù)能力，有效防止異常情況下的損壞。
　　4. 優(yōu)秀的熱性能表現(xiàn)，確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 小型化封裝設(shè)計(jì)，便于集成到空間受限的應(yīng)用中。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
　　這些特性使得BL-HG836G-TRB成為眾多電力電子應(yīng)用的理想選擇。

BL-HG836G-TRB廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)元件。
　　2. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
　　4. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)。
　　5. 光伏逆變器的關(guān)鍵功率轉(zhuǎn)換組件。
　　6. 數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的供電模塊。
　　其卓越的性能和可靠性為各類復(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景提供了堅(jiān)實(shí)保障。

BL-HG836G-TRA, IRF840, FDP5500