BGU8H1是一種高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強型器�。它廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高頻開�(guān)和低�(dǎo)通損耗的�(yīng)用場�。該器件采用了先進的制造工藝,具備出色的電氣特性和可靠��
這種MOSFET的主要特點是低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱性能,使其能夠在高頻工作條件下保持高效和�(wěn)定的表現(xiàn)�
型號:BGU8H1
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�650V
最大柵源電�(V_GS):�20V
最大漏極電�(I_D)�8A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�1.1Ω(典型�,當(dāng)V_GS=10V�)
總功�(P_TOT)�70W
�(jié)溫范�(T_J)�-55℃至+150�
BGU8H1具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓:650V的額定漏源電壓確保了其在高壓�(huán)境下的可靠運��
2. 低導(dǎo)通電阻:R_DS(on)僅為1.1Ω,能夠有效降低導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)能力:由于其�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(yōu)化設(shè)計,開關(guān)時間�,適合高頻應(yīng)用�
4. 良好的熱�(wěn)定性:具備較高的結(jié)溫范�,適�(yīng)惡劣的工作條件�
5. 小封裝尺寸:便于在緊湊型�(shè)計中使用,同時簡化PCB布局�
BGU8H1適用于多種電子電�,具體包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于功率變換和�(diào)節(jié)�
2. 電機�(qū)動:控制直流電機或步進電機的速度和方��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器:提供高效的電壓�(zhuǎn)換功能�
4. 逆變器:將直流電�(zhuǎn)化為交流�,用于太陽能�(fā)電或其他�(yīng)用場��
5. 充電器電路:為各種便攜式�(shè)備提供快速充電功能�
IRF840, STP8NK65Z, FQP19N65C