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BFR30LT1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 8:50:41 查看 閱讀�19

BFR30LT1是一種雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT�,主要用于射頻(RF)和高頻�(yīng)�。該器件屬于NPN�(lèi)�,適合于小信�(hào)放大和開(kāi)�(guān)�(yīng)�。其�(shè)�(jì)注重低噪聲性能和高增益特�,因此在�(wú)�(xiàn)通信、音頻設(shè)備以及其他高頻電路中表現(xiàn)出色�
  BFR30LT1的封裝形式通常是SOT-23小型表面貼裝封裝,這使其非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)合。此�,該晶體管具有較低的飽和電壓和較高的電流增益,從而確保了高效�(yùn)行和出色的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

集電�-�(fā)射極擊穿電壓�30V
  集電極最大電流:150mA
  直流電流增益(hFE):最小�80,典型�200
  �(guò)渡頻率(fT):7GHz
  功耗:200mW
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

1. 高增益:BFR30LT1具有較高的直流電流增益(hFE�,使其非常適用于需要高增益放大的場(chǎng)��
  2. 高頻性能:其�(guò)渡頻率(fT)高�(dá)7GHz,能夠滿(mǎn)足大多數(shù)射頻和高頻電路的需��
  3. 低噪聲:由于其設(shè)�(jì)特點(diǎn),BFR30LT1具備較低的噪聲系�(shù),適合對(duì)噪聲敏感的通信系統(tǒng)�
  4. 小型化封裝:采用SOT-23封裝形式,有助于�(shí)�(xiàn)緊湊型設(shè)�(jì),同�(shí)提高散熱效率�
  5. 廣泛的工作溫度范圍:支持�-55℃到+150℃的操作�(huán)�,適�(yīng)各種�(yán)苛條件下的應(yīng)用需��

�(yīng)�

1. 射頻放大器:用于�(wú)�(xiàn)通信模塊中的低噪聲放大器(LNA)和其他高頻放大��
  2. �(diào)制解�(diào)器:在數(shù)�(jù)傳輸�(shè)備中用作信號(hào)�(diào)節(jié)元件�
  3. 音頻�(shè)備:如耳機(jī)放大�、麥克風(fēng)前置放大器等,提供清晰的聲音輸出�
  4. �(kāi)�(guān)電路:利用其快速開(kāi)�(guān)能力,在�(shù)字邏輯電路中充當(dāng)�(kāi)�(guān)元件�
  5. �(cè)試與�(cè)�?jī)x器:在示波器、頻譜分析儀等精密測(cè)試設(shè)備中�(fā)揮重要作��

替代型號(hào)

BFR36LT1
  BFR96LT1
  MPSH10

bfr30lt1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

bfr30lt1資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

bfr30lt1參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭JFET(結(jié)�(diǎn)�(chǎng)效應(yīng)
  • 系列-
  • 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)4mA @ 10V
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 漏極電流 (Id) - 最�-
  • FET �N 溝道
  • 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)-
  • 電壓 - 切斷 (VGS �(guān))@ Id5V @ 0.5nA
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds5pF @ 10V
  • 電阻 - RDS(開(kāi)�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 功率 - 最�225mW