BFR30LT1是一種雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT�,主要用于射頻(RF)和高頻�(yīng)�。該器件屬于NPN�(lèi)�,適合于小信�(hào)放大和開(kāi)�(guān)�(yīng)�。其�(shè)�(jì)注重低噪聲性能和高增益特�,因此在�(wú)�(xiàn)通信、音頻設(shè)備以及其他高頻電路中表現(xiàn)出色�
BFR30LT1的封裝形式通常是SOT-23小型表面貼裝封裝,這使其非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)合。此�,該晶體管具有較低的飽和電壓和較高的電流增益,從而確保了高效�(yùn)行和出色的性能表現(xiàn)�
集電�-�(fā)射極擊穿電壓�30V
集電極最大電流:150mA
直流電流增益(hFE):最小�80,典型�200
�(guò)渡頻率(fT):7GHz
功耗:200mW
工作溫度范圍�-55℃至+150�
1. 高增益:BFR30LT1具有較高的直流電流增益(hFE�,使其非常適用于需要高增益放大的場(chǎng)��
2. 高頻性能:其�(guò)渡頻率(fT)高�(dá)7GHz,能夠滿(mǎn)足大多數(shù)射頻和高頻電路的需��
3. 低噪聲:由于其設(shè)�(jì)特點(diǎn),BFR30LT1具備較低的噪聲系�(shù),適合對(duì)噪聲敏感的通信系統(tǒng)�
4. 小型化封裝:采用SOT-23封裝形式,有助于�(shí)�(xiàn)緊湊型設(shè)�(jì),同�(shí)提高散熱效率�
5. 廣泛的工作溫度范圍:支持�-55℃到+150℃的操作�(huán)�,適�(yīng)各種�(yán)苛條件下的應(yīng)用需��
1. 射頻放大器:用于�(wú)�(xiàn)通信模塊中的低噪聲放大器(LNA)和其他高頻放大��
2. �(diào)制解�(diào)器:在數(shù)�(jù)傳輸�(shè)備中用作信號(hào)�(diào)節(jié)元件�
3. 音頻�(shè)備:如耳機(jī)放大�、麥克風(fēng)前置放大器等,提供清晰的聲音輸出�
4. �(kāi)�(guān)電路:利用其快速開(kāi)�(guān)能力,在�(shù)字邏輯電路中充當(dāng)�(kāi)�(guān)元件�
5. �(cè)試與�(cè)�?jī)x器:在示波器、頻譜分析儀等精密測(cè)試設(shè)備中�(fā)揮重要作��
BFR36LT1
BFR96LT1
MPSH10