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BFP620 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:45:02 查看 閱讀�26

BFP620是一種雙極性晶體管(BJT),具體為硅鍺(SiGe)異�(zhì)�(jié)雙極晶體管(HBT�。它專為高頻和寬帶應(yīng)用而設(shè)�(jì),具有高增益、低噪聲和卓越的線性度。該器件通常用于射頻(RF)和微波電路�,如低噪聲放大器(LNA�、混頻器和振蕩器��
  BFP620的工作頻率范圍可以達(dá)到GHz�(jí)�,適用于各種無線通信系統(tǒng)。其出色的電氣性能使其成為高頻信號(hào)處理的理想選��

參數(shù)

集電�-�(fā)射極電壓�35V
  集電極電流:200mA
  過渡頻率(fT):18GHz
  最大工作頻率(fMAX):25GHz
  增益帶寬積:10GHz
  噪聲系數(shù)�1dB
  功耗:400mW

特�

BFP620晶體管采用了先�(jìn)的硅鍺(SiGe)工藝制造,具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高頻率響�(yīng):其過渡頻率(fT)高�(dá)18GHz,支持高頻和寬帶�(yīng)��
  2. 低噪聲性能:在高頻下表�(xiàn)出較低的噪聲系數(shù)(約1dB�,非常適合低噪聲放大器設(shè)�(jì)�
  3. 高線性度:能夠減少信�(hào)失真,提高系�(tǒng)整體性能�
  4. �(wěn)定性:在較寬的溫度范圍�(nèi)保持良好的性能�(wěn)定��
  5. 小尺寸封裝:便于集成到緊湊型電路�(shè)�(jì)��

�(yīng)�

BFP620晶體管廣泛應(yīng)用于高頻電子�(shè)備中,主要用途包括:
  1. 低噪聲放大器(LNA):用于接收�(jī)前端以增�(qiáng)弱信�(hào)�
  2. 混頻器:將不同頻率的信號(hào)混合在一起或分離出來�
  3. 振蕩器:生成�(wěn)定的高頻信號(hào)��
  4. 無線通信系統(tǒng):如蜂窩基站、衛(wèi)星通信和雷�(dá)系統(tǒng)中的信號(hào)處理模塊�
  5. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備:例如頻譜分析儀和網(wǎng)�(luò)分析儀等需要高性能射頻組件的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

BFP640
  BFP740

bfp620推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • BFP620
  • NPN Silicon Germanium RF Transistor
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bfp620參數(shù)

  • 晶體管極�:?頻道
  • 電壓, Vceo:2.3V
  • 過渡頻率, ft:65GHz
  • 功�, Pd:185mW
  • 集電極直流電�:80mA
  • 直流電流增益 hFE:180
  • 工作溫度范圍:-65°C � +150°C
  • 封裝類型:SOT-343
  • 針腳�(shù):3
  • SVHC(高度�(guān)注物�(zhì)):No SVHC (19-Dec-2011)
  • SMD�(biāo)�(hào):R2s
  • �(guān)�(lián)增益 Ga:21.5dB
  • 功率, 1dB增益壓縮 (P1dB):15dBm
  • 噪聲:0.7dB
  • 封裝類型:TSFP
  • 封裝類型:TSFP4
  • 總功�, Ptot:185mW
  • 截止頻率 ft, 典型�:65GHz
  • 晶體管數(shù):1
  • 最大連續(xù)電流, Ic:80mA
  • �(cè)試頻�:1.8GHz
  • 電壓, Vcbo:7.5V
  • 電流, Ic hFE:50mA
  • 電流, Ic 最�:80mA
  • 直流電流增益 hfe, 最小�:110
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 輸出, 三階交叉�(diǎn) IP3:25dB
  • 集電極連續(xù)電流:80mA