BF799WE6327是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和良好的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
其封裝形式緊湊,適合�(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(shè)�(jì)方案。同�(shí),BF799WE6327還具備優(yōu)異的電氣特�,能夠在高頻工作條件下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�27A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.2mΩ
柵極電荷�45nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=18ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
BF799WE6327擁有卓越的電氣性能,主要特�(diǎn)包括�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用,從而減小外部元件尺��
3. �(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),降低驅(qū)�(dòng)功耗�
4. �(qiáng)大的散熱性能,可在高電流和高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
5. 緊湊的封裝形�,節(jié)省PCB空間,簡(jiǎn)化布局�(shè)�(jì)�
6. 具備較強(qiáng)的抗雪崩能力和短路耐受能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和魯棒性�
BF799WE6327適用于多種電力電子領(lǐng)�,典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于高效能量轉(zhuǎn)��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)�(shè)備中的功率管理模塊�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流控制元��
由于其出色的性能表現(xiàn),該芯片成為眾多高效�、高密度電力�(zhuǎn)換設(shè)�(jì)的理想選擇�
IRF7735, FDP5570N, AO3400A