BF755是一種雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要用于射頻和高頻放大應(yīng)用。它屬于低噪聲、高增益的NPN型晶體管,適用于各種無線通信設(shè)備、收音機(jī)和其他高頻電子電路中的小信號(hào)放大器。
BF755在高頻領(lǐng)域的表現(xiàn)尤為出色,其出色的增益特性和低噪聲性能使其成為許多射頻應(yīng)用的理想選擇。
集電極-發(fā)射極電壓(VCEO):25V
集電極電流(IC):0.1A
直流電流增益(hFE):280~620
過渡頻率(fT):700MHz
最大耗散功率(Ptot):310mW
封裝形式:TO-92
BF755具有以下特點(diǎn):
1. 高頻響應(yīng):由于其過渡頻率高達(dá)700MHz,BF755非常適合用于高頻信號(hào)處理和放大。
2. 低噪聲:作為低噪聲晶體管,BF755能夠顯著減少信號(hào)失真,確保高質(zhì)量的音頻和射頻傳輸。
3. 高增益:其直流電流增益范圍為280至620,提供穩(wěn)定的放大性能。
4. 小尺寸封裝:采用TO-92封裝,便于安裝在緊湊型電路板上。
5. 穩(wěn)定性好:在各種溫度和負(fù)載條件下,BF755都能保持較高的穩(wěn)定性,適合多種環(huán)境下的使用。
BF755廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 射頻放大器:用于提高無線通信設(shè)備的信號(hào)強(qiáng)度。
2. 收音機(jī)前置放大器:增強(qiáng)接收信號(hào)的質(zhì)量和清晰度。
3. 高頻振蕩器:構(gòu)建高頻信號(hào)生成電路。
4. 調(diào)制解調(diào)器:在數(shù)據(jù)傳輸設(shè)備中進(jìn)行信號(hào)處理。
5. 測(cè)試與測(cè)量設(shè)備:用于精確的高頻信號(hào)測(cè)試。
BF756, BF760