BDFNR2C051DS 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,由 Bosch 公司�(shè)�(jì)制�。這款器件主要用于高頻和高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電系�(tǒng)以及車載電子�(shè)備等。得益于 GaN 材料的優(yōu)異特�,BDFNR2C051DS 具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度和高工作頻率的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的整體性能和能效�
該器件采� DFN 封裝形式,具有緊湊的尺寸和良好的散熱性能,適合在空間受限的應(yīng)用環(huán)境中使用。同�(shí),其�(nèi)置的保護(hù)功能(如�(guò)流保�(hù)和短路保�(hù))增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
型號(hào):BDFNR2C051DS
封裝:DFN8
額定電壓�650 V
額定電流�3.6 A
�(dǎo)通電阻:51 mΩ
柵極電荷�37 nC
最大工作溫度范圍:-55� � 175�
存儲(chǔ)溫度范圍�-55� � 150�
�(jié)殼熱阻:20 �/W
BDFNR2C051DS 的主要特性包括:
1. 高開(kāi)�(guān)頻率支持,可�(dá)�(shù) MHz,適用于高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on) = 51 mΩ),有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,減少開(kāi)�(guān)損耗并�(yōu)化動(dòng)�(tài)表現(xiàn)�
4. �(nèi)置保�(hù)功能,提供更高的可靠��
5. 緊湊� DFN 封裝,節(jié)� PCB 空間,同�(shí)具備出色的散熱能��
6. 支持寬禁帶半�(dǎo)體技�(shù),具備更好的耐高溫特性和更低的能量損��
7. 符合汽車�(jí)�(biāo)�(zhǔn),能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
BDFNR2C051DS 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 汽車電子系統(tǒng),例如車載充電器(OBC)、DC-DC �(zhuǎn)換器和電源管理系�(tǒng)�
2. 工業(yè)�(shè)備中的高效電源模塊和電機(jī)�(qū)�(dòng)��
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器和無(wú)線充電解決方��
4. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高頻功率放大器和信�(hào)處理電路�
5. 其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�,如太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源(UPS��