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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BDFN2C081V35

BDFN2C081V35 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 2:43:25 查看 閱讀�9

BDFN2C081V35 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于多種電力電子�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高可靠性等特�。其封裝形式� TO-252(DPAK�,能夠滿足緊湊設(shè)�(jì)的需求。BDFN2C081V35 適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種電源管理電路中�
  � MOSFET 的關(guān)鍵特�(diǎn)在于它的高效率表�(xiàn),同�(shí)其額定電壓和電流參數(shù)使其非常適合中低壓應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  連續(xù)漏極電流�4.9A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ
  柵極電荷(Qg):7nC
  輸入電容(Ciss):330pF
  反向恢復(fù)�(shí)間(trr):60ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
  封裝形式:TO-252(DPAK�

特�

BDFN2C081V35 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低�(dǎo)通損耗,提高整體效率�
  2. 快速開�(guān)能力,有助于減少開關(guān)損�,特別適合高頻應(yīng)��
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 小尺寸封裝,便于 PCB 布局�(shè)�(jì),節(jié)省空��
  5. 寬溫度范圍支�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
  這些特性使 BDFN2C081V35 成為眾多高效能電力轉(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

BDFN2C081V35 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和初級(jí)開關(guān)�
  2. 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)�
  3. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì),包括降�、升壓和升降壓拓?fù)�?br>  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
  由于其高效的性能和小尺寸封裝,BDFN2C081V35 在需要高密度集成和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

BSC082N06NS3G, IRF7413, FDP087N06L

bdfn2c081v35推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

bdfn2c081v35�(chǎn)�