BDFN2C051VB是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)的高壓MOSFET,采用超小型DSO封裝。該器件專為高效率開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合用于消�(fèi)電子、工�(yè)電源以及汽車電子等領(lǐng)域的功率�(zhuǎn)換電�。這款MOSFET支持較高的漏源電壓(VDS�,使其能夠在�(yán)苛的高壓�(huán)境中�(wěn)定工��
最大漏源電壓(VDS):650V
連續(xù)漏極電流(ID):3.7A
�(dǎo)通電阻(RDS(on)):1.4Ω
柵極電荷(Qg):22nC
開關(guān)速度:快速開�(guān)
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
BDNF2C051VB的主要特性包括高耐壓能力、低�(dǎo)通電阻和�(yōu)化的開關(guān)性能。這些特點(diǎn)使其成為硬開�(guān)�(yīng)用的理想選擇。此�,其緊湊的封裝形式能夠節(jié)省PCB空間,同�(shí)保持高效的散熱性能�
該器件還具備出色的雪崩能力和較低的反向恢�(fù)電荷(Qrr�,這有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)可靠性。在高頻開關(guān)�(chǎng)景中,它的快速開�(guān)速度可以顯著降低開關(guān)損�,從而提升整體效��
BDNF2C051VB適用于多種高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,包括但不限于適配器和充電�、LED�(qū)�(dòng)器、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(dòng)工具中的功率管理模塊,以及家電中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路。此外,它也常被用作�(xù)流二極管或同步整流器的一部分,以增強(qiáng)系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率�
BUX78N06D3,
IRF840,
FQA65P12,
BSC018N06NSG