BDFN2C051L 時(shí)間：2025/5/24 18:07:26 閱讀：7

BDFN2C051L 是一款 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型 MOSFET，主要用于低電壓、高效率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它采用先進(jìn)的制造工藝，在低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能之間實(shí)現(xiàn)了良好的平衡。該器件適合于電池供電設(shè)備、便攜式電子產(chǎn)品、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

型號(hào)：BDFN2C051L
　　類型：N溝道MOSFET
　　Vgs(th)（柵極閾值電壓）：1.2V ~ 3V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值@ Vgs=4.5V）：5.5mΩ
　　最大漏源電壓Vds：30V
　　最大連續(xù)漏電流Id：78A
　　總功耗Ptot：1.6W
　　封裝形式：TO-252(DPAK)
　　工作溫度范圍：-55°C ~ +150°C

特性

BDFN2C051L 具有非常低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），使其在功率傳輸路徑中產(chǎn)生的損耗顯著降低，從而提升系統(tǒng)效率。
　　其邏輯電平驅(qū)動(dòng)能力允許使用較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓（如 3.3V 或 5V），簡(jiǎn)化了與微控制器或數(shù)字電路的接口設(shè)計(jì)。
　　此外，該器件具有快速的開(kāi)關(guān)速度，能夠有效減少開(kāi)關(guān)損耗，并且具備較高的雪崩耐量，增強(qiáng)了其在異常情況下的可靠性。
　　由于采用了 TO-252 封裝，該器件具有良好的散熱性能，適用于需要較高電流密度的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　BDFN2C051L 還具有出色的 ESD 保護(hù)性能，提高了其在實(shí)際環(huán)境中的抗干擾能力。

應(yīng)用

BDFN2C051L 廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車電子領(lǐng)域。
　　在消費(fèi)電子方面，它常用于智能手機(jī)和平板電腦的充電管理模塊、USB Type-C PD 控制器、電池保護(hù)電路等。
　　在工業(yè)控制領(lǐng)域，該器件可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源適配器、LED 驅(qū)動(dòng)器和負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　此外，BDFN2C051L 也適用于汽車電子中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、車身控制模塊和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS）。