時間：2025/5/24 16:28:11
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BDFN2020A261V 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率晶體管，專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該器件采用了先進的封裝技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。
其核心優(yōu)勢在于能夠顯著降低開關(guān)損耗，同時支持更高的工作頻率，從而縮小磁性元件的尺寸并提高功率密度。BDFN2020A261V 廣泛應(yīng)用于適配器、充電器以及電信和工業(yè)電源系統(tǒng)中。
類型：功率晶體管
材料：氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓：650 V
連續(xù)漏極電流：14 A
導(dǎo)通電阻（典型值）：38 mΩ
柵極驅(qū)動電壓（典型值）：6 V
反向恢復(fù)電荷：無（零反向恢復(fù)電荷）
封裝形式：TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
BDFN2020A261V 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升整體效率。
2. 快速開關(guān)性能，支持高達數(shù) MHz 的開關(guān)頻率，適合高頻應(yīng)用場景。
3. 零反向恢復(fù)電荷，進一步降低開關(guān)過程中的能量損耗。
4. 熱穩(wěn)定性強，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持高性能。
5. 先進的封裝技術(shù)，提供良好的散熱性能和電氣隔離。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
7. 內(nèi)置保護機制，如過溫保護和短路保護，增強了器件的可靠性。
BDFN2020A261V 可用于以下領(lǐng)域：
1. USB-PD 快速充電器。
2. 開關(guān)模式電源 (SMPS)。
3. 通信電源系統(tǒng)。
4. 工業(yè)電機驅(qū)動控制。
5. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
6. 太陽能微型逆變器。
7. 汽車電子中的輔助電源模塊。
由于其高效和緊湊的設(shè)計，BDFN2020A261V 成為現(xiàn)代高效能電力電子設(shè)備的理想選擇。
BSC016N06NSG
BST25G65CREL
GAN042-650WSA
