BDE2S5.0是一種雙通道N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體管,專為高效率和低導(dǎo)通電阻的�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備出色的開關(guān)性能和熱�(wěn)定�,廣泛應(yīng)用于各種電源管理和電�(jī)�(qū)動場�。其小型化封裝有助于節(jié)省PCB空間,同時保持卓越的電氣性能�
BDE2S5.0的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),這使得它非常適合需要高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用場�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)控制電路��
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.4mΩ
柵極電荷�28nC
總功耗:23W
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-Leadless 5x6mm
BDE2S5.0具有非常低的�(dǎo)通電�,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,其快速開�(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,從而提升整體性能。該器件還擁有較高的電流承載能力,確保在重載條件下依然可以穩(wěn)定運(yùn)��
由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),BDE2S5.0具備�(yōu)秀的散熱性能,能夠承受更高的�(jié)�。這種特性使其特別適合高溫環(huán)境下的應(yīng)�。另外,它的ESD保護(hù)能力較強(qiáng),可避免因靜電放電而導(dǎo)致的損壞�
其雙通道�(shè)�(jì)簡化了多路輸出系�(tǒng)的布局,并且兩個MOSFET之間的匹配度較高,便于同步控制和操作�
BDE2S5.0適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)
4. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級元件
5. 汽車電子�(shè)備中的大電流開關(guān)
6. 工業(yè)自動化控制系�(tǒng)中的信號隔離與功率傳�
憑借其高性能和可靠性,BDE2S5.0成為了眾多工程師在設(shè)�(jì)高效率功率轉(zhuǎn)換解決方案時的理想選��
BSC016N06NS, IRF7405, AO3400A