BD5230G-TR 是一款由羅姆(ROHM)公司生產的N溝道MOSFET晶體�。它采用超小型DFN1610封裝,適合于需要高效能和小體積設計的應用場�。該器件具有低導通電阻、高開關速度等特�,廣泛應用于各種消費電子、通信設備及工�(yè)控制領域�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.3A
導通電阻:90mΩ
柵極閾值電壓:1.7V
功耗:830mW
工作溫度范圍�-40℃至+125�
BD5230G-TR擁有非常低的導通電阻,在典型的工作條件下可以降低功率損�,提升整體效�。此�,其快速的開關性能使其非常適合高頻開關應用�
由于采用了DFN1610封裝,該器件在PCB布局上能夠節(jié)省空�,并且具備良好的散熱性能�
此產品還具有較高的靜電放電(ESD)保護能�,增強了產品的可靠性。同�,其低柵極電荷和輸入電容有助于減少驅動損耗并簡化電路設計�
BD5230G-TR適用于多種電力電子應�,例如負載開關、DC/DC轉換�、LED驅動器以及電池管理單元等�
在智能手機和平板電腦�,可以用作電源管理模塊中的關鍵組�;在汽車電子系統(tǒng)內,則可用于車身控制模塊或信息娛樂系�(tǒng)的供電部��
其他典型應用包括USB接口保護、藍牙耳機充電盒電�、便攜式�(yī)療設備和物聯網終端節(jié)點等低功耗設計場合�
BD5231G-TR