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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > BD5230G-TR

BD5230G-TR 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 13:42:39 查看 閱讀�31

BD5230G-TR 是一款由羅姆(ROHM)公司生產的N溝道MOSFET晶體�。它采用超小型DFN1610封裝,適合于需要高效能和小體積設計的應用場�。該器件具有低導通電阻、高開關速度等特�,廣泛應用于各種消費電子、通信設備及工�(yè)控制領域�

參數

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�2.3A
  導通電阻:90mΩ
  柵極閾值電壓:1.7V
  功耗:830mW
  工作溫度范圍�-40℃至+125�

特�

BD5230G-TR擁有非常低的導通電阻,在典型的工作條件下可以降低功率損�,提升整體效�。此�,其快速的開關性能使其非常適合高頻開關應用�
  由于采用了DFN1610封裝,該器件在PCB布局上能夠節(jié)省空�,并且具備良好的散熱性能�
  此產品還具有較高的靜電放電(ESD)保護能�,增強了產品的可靠性。同�,其低柵極電荷和輸入電容有助于減少驅動損耗并簡化電路設計�

應用

BD5230G-TR適用于多種電力電子應�,例如負載開關、DC/DC轉換�、LED驅動器以及電池管理單元等�
  在智能手機和平板電腦�,可以用作電源管理模塊中的關鍵組�;在汽車電子系統(tǒng)內,則可用于車身控制模塊或信息娛樂系�(tǒng)的供電部��
  其他典型應用包括USB接口保護、藍牙耳機充電盒電�、便攜式�(yī)療設備和物聯網終端節(jié)點等低功耗設計場合�

替代型號

BD5231G-TR

bd5230g-tr推薦供應� 更多>

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bd5230g-tr參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - �(jiān)控器
  • 系列-
  • 類型簡單復位/加電復位
  • �(jiān)視電壓數�1
  • 輸出開路漏極或開路集電極
  • 復位低有�
  • 復位超時-
  • 電壓 - 閥�3V
  • 工作溫度-40°C ~ 105°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TFSOP�0.063"�1.60mm 寬)�5 引線
  • 供應商設備封�5-SSOP
  • 包裝帶卷 (TR)